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J-GLOBAL ID：201702281694942128   整理番号：17A0513666

界面電荷に対して補正した解析モデルにより確かめられた高パルス電流密度β-Ga₂O₃ MOSFET

High pulsed current density β-Ga₂O₃ MOSFETs verified by an analytical model corrected for interface charge

著者 (9件)： Moser Neil A. (Department of Electrical and Computer Engineering, George Mason University, Fairfax, Virginia 22030, USA) ,  McCandless Jonathan P. (KBRWyle, 4200 Colonel Glenn Hwy, Beavercreek, Ohio 45431, USA) ,  Crespo Antonio (Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, Ohio 45433, USA) ,  Leedy Kevin D. (Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, Ohio 45433, USA) ,  Green Andrew J. (KBRWyle, 4200 Colonel Glenn Hwy, Beavercreek, Ohio 45431, USA) ,  Heller Eric R. (Air Force Research Laboratory, Materials and Manufacturing Directorate, Wright-Patterson AFB, Ohio 45433, USA) ,  Chabak Kelson D. (Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, Ohio 45433, USA) ,  Peixoto Nathalia (Department of Electrical and Computer Engineering, George Mason University, Fairfax, Virginia 22030, USA) ,  Jessen Gregg H. (Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, Ohio 45433, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 14  ページ： 143505-143505-5  発行年： 2017年04月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *解析モデル ,  電流 ,  *電流密度 ,  *MOSFET ,  *酸化ガリウム ,  MBE成長
準シソーラス用語： パルス電流 ,  分子ビームエピタクシー成長

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 界面電荷 ,  解析モデル ,  パルス ,  電流密度 ,  β-Ga2O3 ,  MOSFET