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J-GLOBAL ID:201702281870726475   整理番号:17A0488407

広いバンドギャップを有する半導体における光増感および光電流スイッチ効果 鉄及びニッケル錯体で官能化したCuI及びTiO2 半導体からロジックデバイスまで

Photosensitization and photocurrent switching effects in wide band gap semiconductors: CuI and TiO2 functionalized with iron and nickel complexes: from semiconductors to logic devices
著者 (3件):
資料名:
巻: 27  号:ページ: 436-445  発行年: 2017年03月 
JST資料番号: W0462A  ISSN: 1574-1443  CODEN: JIOPE4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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スイッチやロジックゲートなどに利用できる新しい半導体を提案した。よく知られたTiO2の替りにCuIを使用するとかなり導電電位を下げることができ,新しいロジックシステムが構築できる。また,TiO2と違ってCuIのエネルギー準位はpHの影響を受けないという利点がある。Fe(NA)Cl2@TiO2(NA:C6H4NO2),Fe(NA)Cl2@CuI,Niルチン@TiO2,Niルチン@CuIは可視光に対して顕著な光増感を示す。これらの物質の光電流作用を調べ,各種の実用化の可能性を議論した。
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分類 (2件):
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電気化学反応  ,  遷移金属錯体一般 

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