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J-GLOBAL ID：201702281900167020   整理番号：17A1738920

バーチャル・プロトタイピングによるSiCパワーモジュールのモデリングチャレンジ

Modelling Challenges towards Virtual Prototyping of SiC based Power Modules

著者 (1件)： GROSSNER Ulrike (ETH Zurich, Zurich, CHE)
資料名： エレクトロニクス実装学会誌  (Journal of Japan Institute of Electronics Packaging)
巻： 20  号： 7  ページ： 432-436  発行年： 2017年11月01日 
JST資料番号： S0579C  ISSN： 1343-9677  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在,学術および産業レベルについてのパワーエレクトロニクスは,全てのパワー電子システム,実際の半導体デバイスの必須のビルディングブロックにおいて,大きな変化を経験している。シリコンスイッチおよびダイオードは,その初期以来,小型の個別デバイスから大きなハイパワーモジュールまで,研究,開発,および応用を支配してきたが,近年,市場は,代替品,主に炭化ケイ素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)のような広いバンドギャップ材料を用いた製品の鋭い立ち上がりを見せている。これらの材料とともに,パワーモジュール設計と製造において,新しいチャレンジも生じている。本論文では,垂直SiC MOSFETの調査に基づくこのようなモデリングツールの現在の状態について論じ,SiCパワーモジュールの成功したバーチャルプロトタイピングのための必要事項の展望を行う。

シソーラス用語： プロトタイピング ,  試作 ,  *炭化ケイ素 ,  *回路モジュール ,  パワーエレクトロニクス ,  モデリング ,  バンドギャップ ,  窒化ガリウム ,  回路シミュレーション ,  CAD【計算機】
準シソーラス用語： GaN ,  SiC ,  TCAD ,  *バーチャルプロトタイピング ,  パワーモジュール ,  ワイドバンドギャップ

分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

引用文献 (31件)：

• 1) R. Rupp, T. Laska, O. Haberlen, and M. Treu: “Application specific trade-offs for WBG SiC, GaN and high end Si power switch technologies,” IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), pp. 2.3.1-2.3.4, 2014
• 2) T. Kimoto: “Material science and device physics in SiC technology for high-voltage power devices,” Japanese Journal of Applied Physics, 040103, 2016
• 3) II-VI Advanced Materials demos first 200 mm SiC wafer. [Online] www.semiconductor-today.com/news_items/2015/jul/iivi_170715.shtml
• 4) M. Treu, R. Rupp, P. Blaschitz, and J. Hilsenbeck: “Commercial SiC device processing: Status and requirements with respect to SiC based power devices,” Superlattices and Microstructures, Vols. 40, No. 4-6, pp. 380-387, 2006
• 5) J. Muting, N. Schneider, and U. Grossner: “Exploring the Behavior of Parallel Connected SiC Power MOSFETs Influenced by Performance Spread in Circuit Simulations,” submitted to APEC, 2018

タイトルに関連する用語 (5件)： バーチャル ,  プロトタイピング ,  SiC ,  パワーモジュール ,  モデリング