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J-GLOBAL ID：201802276785144582   整理番号：18A0848026

回路シミュレーションにおける性能拡散により影響される並列接続SiCパワーMOSFETの挙動の調査【JST・京大機械翻訳】

Exploring the behavior of parallel connected SiC power MOSFETs influenced by performance spread in circuit simulations

著者 (5件)： Muting Johanna (Advanced Power Semiconductor Laboratory, ETH Zurich, Physikstrasse 3, 8092 Zurich, Switzerland) ,  Schneider Nick (Advanced Power Semiconductor Laboratory, ETH Zurich, Physikstrasse 3, 8092 Zurich, Switzerland) ,  Ziemann Thomas (Advanced Power Semiconductor Laboratory, ETH Zurich, Physikstrasse 3, 8092 Zurich, Switzerland) ,  Stark Roger (Advanced Power Semiconductor Laboratory, ETH Zurich, Physikstrasse 3, 8092 Zurich, Switzerland) ,  Grossner Ulrike (Advanced Power Semiconductor Laboratory, ETH Zurich, Physikstrasse 3, 8092 Zurich, Switzerland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： APEC  ページ： 280-286  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCパワーMOSFETの性能,特に並列化への適用性を調べるために,電気的および熱的挙動の観点から,10個のCe2M0080120D MOSFETの試料を調べた。オン状態抵抗としきい値電圧の著しい広がりが観測され,最大差はΔI10mΩ,すなわち20Aの電流で12.5%,ΔV_th1Vであった。これらの素子の並列化を,与えられたMOSFETに対する数値的に効率的で半物理的Spiceモデルを開発することにより解析した。10個の並列素子の回路シミュレーションは,素子間の電流が13%の最大不均衡と,接合部の最大不均衡が約11%の場合に最大になることを示した。ターンオン損失は2%増加したが,ターンオフ損失は同様の平均オン抵抗を持つ10の並列素子と比較して変化しなかった。ブーストモードの50kW双方向DC/DCコンバータに異なる特性を持つこれら10個の並列MOSFETを適用することにより,平均特性を持つ10個の同一MOSFETと比較して46Wの損失を増加させた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： DC-DCコンバータ ,  *MOSFET ,  *回路シミュレーション ,  電流 ,  ターンオフ ,  *炭化ケイ素 ,  ターンオン ,  *並列接続 ,  接合部 ,  オン抵抗
準シソーラス用語： 不均衡 ,  並列回路 ,  閾値電圧 ,  オン状態 ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 回路シミュレーション ,  拡散 ,  並列接続 ,  SiC ,  パワーMOSFET ,  挙動 ,  調査