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J-GLOBAL ID：201702282152629303   整理番号：17A0911212

負性静電容量電界効果トランジスタのための電流-電圧モデル【Powered by NICT】

Current-Voltage Model for Negative Capacitance Field-Effect Transistors

著者 (3件)： Lee Hyunjae (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Seoul, Seoul, South Korea) ,  Yoon Youngki (Department of Electrical and Computer Engineering & Waterloo Institute for Nanotechnology, University of Waterloo, Waterloo, ON, Canada) ,  Shin Changhwan (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Seoul, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 5  ページ： 669-672  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,強誘電体材料(すなわち,BaTiO_3)と負の静電容量電界効果トランジスタ(NCFET)のための半解析的電流-電圧モデルを提案した。チャネル領域における表面電位(ψ_S)は,Poisson方程式とLandau-Khalatnikov(LK)方程式を数値的に解くことにより最初に決定した。ドレイン-電流は以前に決定したψ_Sを用いた電流連続方程式に基づいて行われている。添加では,与えられたドレイン電圧の適合可能性を導入することにより,しきい値電圧シフトは捕捉され,異なるゲート電圧で正確な表面電位とドレイン電流が得られた。技術コンピュータ支援設計(TCAD)-MATLABシミュレーションを用いてこのモデルを検証した,著者らのモデルはシミュレーション結果と優れた一致を示した。さらに,NCFETの素子性能とヒステリシス窓上の強誘電体厚さとチャネルドーピング濃度の影響を徹底的に調べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電圧 ,  CAD【計算機】 ,  表面電位 ,  *FET【トランジスタ】 ,  強誘電体 ,  シミュレーション ,  Poisson方程式 ,  *静電容量 ,  連続方程式 ,  *電流 ,  チャネル ,  ヒステリシス
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  ゲート電圧 ,  閾値電圧シフト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 負性静電容量 ,  電界効果トランジスタ ,  モデル