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J-GLOBAL ID：201702282161740237   整理番号：17A0335441

DCスパッタITO薄膜の結晶構造と光電子挙動に及ぼす加工パラメータの影響

Effects of processing parameters on crystalline structure and optoelectronic behavior of DC sputtered ITO thin film

著者 (3件)： SHAKIBA M. (Shahid Chamran Univ. Ahvaz, Ahvaz, IRN) ,  KOSARIAN A. (Shahid Chamran Univ. Ahvaz, Ahvaz, IRN) ,  FARSHIDI E. (Shahid Chamran Univ. Ahvaz, Ahvaz, IRN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 1  ページ： 787-797  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 様々な動作圧力とDC電力のDCマグネトロンスパッタリングにより酸化インジウムスズ(ITO)薄膜をガラス基板上に蒸着し,ITO膜の電気及び光学特性を調べた。動作圧力とDC電力は膜の蒸着速度,微細構造及び電気-光学特性に有意に影響した。DC電力が100Wを越えると膜の優先配向が変化した。最小持続可能プラズマ圧力の下ではDC電力が100W迄エネルギーギャップの拡大に伴って電気伝導率が改善し,最小シート抵抗が16Ω/□になることなどがわかった。

シソーラス用語： スパッタリング ,  *酸化インジウムスズ ,  膜電極 ,  薄膜成長 ,  基板 ,  電気装置部品 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *結晶構造 ,  光電子 ,  電極 ,  圧力効果 ,  依存性 ,  電気伝導率 ,  微細構造 ,  パラメータ ,  *電気特性 ,  *光学的性質 ,  *酸化物 ,  *薄膜
準シソーラス用語： DCスパッタリング ,  DCマグネトロンスパッタリング ,  ITO電極 ,  ガラス基板 ,  加工パラメータ ,  酸化物薄膜 ,  電力依存性

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： DC ,  スパッタ ,  ITO薄膜 ,  結晶構造 ,  光電子 ,  挙動 ,  加工パラメータ