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J-GLOBAL ID:201702282306119974   整理番号:17A0697831

深振動マグネトロンスパッタリングモードで堆積したタンタル薄膜の調整相【Powered by NICT】

Phase tailoring of tantalum thin films deposited in deep oscillation magnetron sputtering mode
著者 (6件):
資料名:
巻: 314  ページ: 97-104  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0205C  ISSN: 0257-8972  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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タンタル薄膜の特性に及ぼす高エネルギーイオン照射の影響を調べた。プロセスの間のこのような高エネルギーイオン衝撃を達成するためにTa薄膜を深振動マグネトロンスパッタリング(DOMS),高出力インパルスマグネトロンスパッタリングに関連したイオン化物理蒸着法により堆積した。ピークパワーは49~130kWの間であり,基板は室温と接地電位でシリコン。方向性と堆積種のエネルギーは異なるピーク出力で基板に到達するTa種のイオン化分率を変えて制御した。本研究では,膜の表面形態(A FM),微細構造(SEM),構造(XRD),硬さとYoung率(ナノインデンテーション)を特性化した。イオンエネルギー分布(IED)は静電四重極イオンエネルギーと質量分析計(HIDEN EQP 300)を用いて測定した。IEDはDOMS過程は,成長タンタル膜に非常に高エネルギー(120eVまで)イオン衝撃を適用したことを示した。,そのような条件では,基板バイアスや基板加熱無しで付加的な装置を使用せずに純粋なα-Ta(厚さの2μm)を堆積し,すなわち,することが可能である。条件は以前の研究よりも有意に異なり,工業的操業のためのアップスケールがかなり単純で安価な溶液を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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その他の無機化合物の薄膜 
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