文献

J-GLOBAL ID：201702282435508603   整理番号：17A0557704

ナノスケール技術ノードのためのVLSI相互接続としての多層カーボンナノチューブの性能に及ぼすトンネルコンダクタンスの影響

Impact of tunneling conductance on the performance of multi walled carbon nanotubes as VLSI interconnects for nano-scaled technology nodes

著者 (3件)： LITORIA Prakhar (Thapar Univ., Patiala, IND) ,  SANDHA Karmjit Singh (Thapar Univ., Patiala, IND) ,  KANSAL Ankush (Thapar Univ., Patiala, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 6  ページ： 4818-4827  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多層カーボンナノチューブ(MWCNT)は,将来の集積回路におけるVLSI相互接続として銅の代替物となる可能性があり,その独特な特性のために多くの注目を受けてきた。ここでは,ディープサブミクロン技術ノードの相互接続してのMWCNT束の種々のインピーダンスパラメータを議論し,それに基づいて,多数導体回路(MCC)モデルを提示する。MCCに及ぼすトンネリングコンダクタンスの影響を含ませ,修正MCCモデルを相互接続としてのMWCNT束に対して提案する。相互接続としてのMWCNT束をより良く解析するために,トンネリング依存MCCモデルを単一導体回路(ECS)モデルに変換するための解析モデルを実現する。MWCNT束に関するESCモデルの全てのインピーダンスパラメータを国際半導体技術ロードマップ2013年板に提案される相互接続パラメータを用いて得る。提案モデルから得られたインピーダンスパラメータに基づいて,32,22及び16nm技術ノードにおいて,相互接続長を100から3000μmに変化させて,SPICEシミュレーションをトンネリング依存及び独立したESCモデルの両方に対して行う。等価抵抗及び伝搬遅延に及ぼすトンネリングコンダクタンスの影響を解析するために,比較研究を提示する。相互接続長の増加と共に,抵抗と伝搬遅延に及ぼすトンネリングの影響は増加するが,トンネリングコンダクタンスによってもたらされる変化の割合は,相互接続長の増加と共に減少することが結果から観察される。ここで提示した解析と結果に基づいて,トンネリングコンダクタンスは,局所相互接続長においてMWCNT束の性能に同等の影響を与えるので重要な問題であると結論づける。さらに,技術ノードのスケールダウンと共に,MWCNT束相互接続の等価抵抗及び伝搬遅延などの性能に及ぼすトンネリングコンダクタンスの影響は増加し,MWCNT束相互接続の正確な性能を評価する上で無視できないと結論づけられる。

シソーラス用語： *相互接続 ,  超LSI ,  多層カーボンナノチューブ ,  *コンダクタンス ,  *トンネル効果 ,  ナノテクノロジー ,  等価回路 ,  モデル ,  インピーダンス ,  SPICEプログラム ,  計算機シミュレーション ,  遅延特性 ,  伝搬特性

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノスケール ,  ノード ,  VLSI ,  相互接続 ,  多層カーボンナノチューブ ,  トンネルコンダクタンス