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J-GLOBAL ID：201702282449976297   整理番号：17A1262407

一軸歪ホスホレントンネル電界効果トランジスタの性能【Powered by NICT】

The Performance of Uniaxially Strained Phosphorene Tunneling Field- Effect Transistors

著者 (3件)： Seo Junbeom (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Jung Sungwoo (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Shin Mincheol (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 8  ページ： 1150-1152  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一軸歪んだphosphoreneトンネル電界効果トランジスタ(TFET)の性能を本論文で第一原理ベース量子力学的シミュレーションによって評価した。高度に異方的なバンド構造に起因して,アームチェア方向(AD)に沿った歪なしのデバイスはジグザグ方向(ZD)に沿った歪無しのものより優れた性能を示し,圧縮歪の増加と共に維持されている同様の傾向。しかし,引張歪は,第1および第二伝導サブバンドの間のバンドスイッチング,ZDに沿った電子の有効質量は光になるを誘導したが,ADに沿って観察される反対であった。X経路にΓ上の点はバンドからバンドへのトンネル効果寄与し始め,ZD TFETのオン状態電流,なるAD TFETのそれに匹敵することを改善した。これらの結果は,歪エンジニアリングを通した,ADおよびZD TFETの間の性能ギャップは有意に狭く,ホスホレンの方位依存性を軽減できることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 有効質量 ,  第一原理 ,  トンネル効果 ,  シミュレーション ,  電流 ,  バンド構造 ,  *一軸 ,  折れ線
準シソーラス用語： 方向依存性 ,  オン状態 ,  サブバンド ,  引張歪 ,  圧縮歪 ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  *一軸歪 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 一軸歪 ,  ホスホレン ,  トンネル電界効果トランジスタ