抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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ここでは,破壊の物理学に立脚データからFPGAデバイスの包括的信頼性予測を開発した。多重温度運転寿命(MTOL)試験法を用いて,45nmと28nm技術上の3種類の異なるメカニズムの時間(FIT)の破壊を計算した。は45nm技術におけるサブゼロ温度で顕著なホットキャリア注入(H CI)であることを確認した。驚いたことに,28nmコア上に1.6VまでであってもH CI劣化を示すことは認められなかった。結果として,信頼性に及ぼす周波数の影響はないことを示した。28nm,及び恐らくより小さい技術で,デバイスは低定格または高出力できることをこれは,NBTIモデルのみに基づく,従って信頼性は単一の活性化エネルギーを用いた電圧と温度を操作するだけに依存している。注目すべきことに,両技術のための活性化エネルギーと電圧加速係数は非常に類似していた。実証は,他の従来の認定過程とは異なり,MTOL試験手順は,0°C以下の高温から信頼性の広範囲の記述を与えることを示した。この方法は,新しい技術,特に20nmと16nmとそれ以降に適用できるFIT予測を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】