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J-GLOBAL ID：201702282582308248   整理番号：17A0400555

MTOLによる信頼性予測【Powered by NICT】

Reliability prediction with MTOL

著者 (3件)： Bernstein Joseph B. ,  Bensoussan Alain ,  Bender Emmanuel
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 68  ページ： 91-97  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,破壊の物理学に立脚データからFPGAデバイスの包括的信頼性予測を開発した。多重温度運転寿命(MTOL)試験法を用いて,45nmと28nm技術上の3種類の異なるメカニズムの時間(FIT)の破壊を計算した。は45nm技術におけるサブゼロ温度で顕著なホットキャリア注入(H CI)であることを確認した。驚いたことに,28nmコア上に1.6VまでであってもH CI劣化を示すことは認められなかった。結果として,信頼性に及ぼす周波数の影響はないことを示した。28nm,及び恐らくより小さい技術で,デバイスは低定格または高出力できることをこれは,NBTIモデルのみに基づく,従って信頼性は単一の活性化エネルギーを用いた電圧と温度を操作するだけに依存している。注目すべきことに,両技術のための活性化エネルギーと電圧加速係数は非常に類似していた。実証は,他の従来の認定過程とは異なり,MTOL試験手順は,0°C以下の高温から信頼性の広範囲の記述を与えることを示した。この方法は,新しい技術,特に20nmと16nmとそれ以降に適用できるFIT予測を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 加速試験 ,  FPGA ,  高温 ,  ホットキャリア ,  多重化 ,  *信頼性 ,  活性化エネルギー ,  周波数 ,  電圧
準シソーラス用語： NBTI ,  高出力 ,  試験方法 ,  *信頼性予測 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： マイクロエレクトロニクス信頼性 ,  リング発振器 ,  加速試験

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (1件)： 信頼性予測