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J-GLOBAL ID：201702282606373416   整理番号：17A1022006

可変ポケットホルダ深さを用いた一定基板温度と一定高圧SCD成長の調査【Powered by NICT】

Exploring constant substrate temperature and constant high pressure SCD growth using variable pocket holder depths

著者 (3件)： Charris Amanda (Department of Electrical and Computer Engineering, Michigan State University, East Lansing, MI, USA) ,  Nad Shreya (Department of Electrical and Computer Engineering, Michigan State University, East Lansing, MI, USA) ,  Asmussen Jes (Department of Electrical and Computer Engineering, Michigan State University, East Lansing, MI, USA)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 76  ページ： 58-67  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SCD基板は,最適化されたポケットホルダの設計を用いて合成することに成功した。ポケット保持器の設計は強いマイクロ波放電からのダイヤモンド基板を遮蔽するために適切な熱環境を生成する。基板構成は,多結晶ダイヤモンド(PCD)リムなし,均一な単結晶ダイヤモンド(SCD)の成長プロセスを可能にした。一定幅が様々な深さを持つ正方形形状ポケットホルダーを用いた。SCD成長手順は240Torrの一定圧力及び 500W/cm~3の高出力密度で2.45GHzマイクロ波空洞プラズマ反応器でのマイクロ波プラズマ支援化学蒸着(MPACVD)によって行った。入射マイクロ波電力(P_inc)を調整して,基板温度(T)は,全プロセスサイクルを通して1020°C±5°Cで開催された。これらの成長条件下で,結晶形態は平滑で平坦な表面を示した。SCDの平均成長速度はポケット深さ2.0から2.9mmまで増加すると30~24μm/hの間で変化した。PCDリムは全てポケット深さに対する除去され,ポケットホルダ深さが増加すると最終,成長したままの,トップSCD表面の形状は正方形円形形状に変化した。2.0mmと2.3mmのポケットを用いた場合,最終的なトップSCD表面積はほぼ2倍元H PHTダイヤモンドシード領域に増加し,横方向成長速度は垂直方向成長速度より僅かに大きかった。成長したCVDダイヤモンド低応力とSIMS分析自立CVDダイヤモンド板中の窒素濃度レベルを示したの複屈折イメージングは50ppb~140ppbの範囲であった。単結晶ダイヤモンドは,高出力密度,1020°Cの一定温度で開催されたポケットホルダーにマイクロ波プラズマ支援化学蒸着,240Torrの一定圧力及び5%CH_4/H_2により成長させた。実験変数は,ポケットの深さと堆積時間であった。厚,PCDリムなし成長が達成され,浅いホルダー,1.4 1.9の頂部成長表面積利得を実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： マイクロ波 ,  *基板温度 ,  マイクロ波放電 ,  画像処理 ,  結晶形態 ,  *高圧 ,  プラズマCVD ,  ダイヤモンド ,  成長速度 ,  最適化 ,  表面積
準シソーラス用語： CVDダイヤモンド ,  出力密度 ,  単結晶ダイアモンド ,  多結晶ダイヤモンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 可変 ,  基板温度 ,  高圧 ,  SCD ,  成長 ,  調査