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J-GLOBAL ID：201702282765952339   整理番号：17A0664514

大面積,化学蒸着による数層2次元MoTe_2と横方向1t′ 2Hヘテロ構造の位相制御成長【Powered by NICT】

Large area, phase-controlled growth of few-layer, two-dimensional MoTe₂ and lateral 1T′-2H heterostructures by chemical vapor deposition

著者 (6件)： Cheng Shuai (Center for Joining and Electronic Packaging, State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mould Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China. [e-mail] [e-mail]) ,  Yang Li ,  Li Jie ,  Liu Zhixuan ,  Zhang Wenfeng ,  Chang Haixin
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 19  号： 7  ページ： 1045-1051  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)のファミリーのメンバーとして,テルル化モリブデン(MoTe_2)は相転移のような興味深い性質のために関心が増している。しかし,一つの基板上に大面積,数層,MoTe_2の二次元1t′および2H相を成長させる同時直接および1t′ 2H相ヘテロ構造を構築するために未だ挑戦的である。本研究では,化学蒸着中の特別な基板位置配置により直接と成長後の冷却速度を調整すること1SiO_2/Si基板上の大面積,数層の位相制御の成長二次元MoTe_2と横方向1t′ 2H MoTe_2ヘテロ構造を達成するための新しい容易な戦略を開発した。膜成長後の遅い冷却速度が均一な大面積2H MoTe_2膜の産生に必須であることを見出し,2H MoTe_2の離散領域は高速冷却速度の条件下で成長するほうがよくした。さらに,基板位置も1T′および2H相の合成を制御する上で重要な役割を果たしている。得られた数層MoTe_2は機械的剥離のものに匹敵するキャリア移動度を示した。著者らの知見は,物理的性質の研究とMoTe_2とMoTe_2ベース1T′- 2Hヘテロ構造の相関連デバイスへの道を開いた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜成長 ,  相転移 ,  高速冷却 ,  *位相制御 ,  冷却速度 ,  *化学蒸着 ,  キャリア移動度 ,  *二次元
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  テルル化モリブデン ,  *ヘテロ構造 ,  *大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 大面積 ,  化学蒸着 ,  2次元 ,  横方向 ,  ヘテロ構造 ,  位相制御 ,  成長