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J-GLOBAL ID：201702282888319112   整理番号：17A0004187

次世代環境・エネルギー技術の創製 SiC光陰極による人工光合成

著者 (1件)： 加藤正史 (名古屋工大 大学院工学研究科)
資料名： ケミカルエンジニヤリング  (Chemical Engineering (Tokyo))
巻： 62  号： 1  ページ： 19-23  発行年： 2017年01月01日 
JST資料番号： F0134A  ISSN： 0387-1037  CODEN： CMNGA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体は太陽光-水素エネルギー変換などの人工光合成分野にも応用可能である。人工光合成において要求される半導体の特徴は太陽光吸収量と耐久性である。p型のSiCを半導体光触媒(光陰極)として利用した場合,他の材料では容易に実現できない高い耐久性を示す。一方で,4H-もしくは6H-SiCを使ったのでは太陽光をほとんど吸収しないためエネルギー変換効率が低い。したがって,SiCの耐久性を活かし光触媒として利用する場合,3c-SiCを用いる必要がある。また,エネルギー変換効率を高めるには結晶の品質も重要である。近年われわれは,高品質のp型3c-SiCの結晶成長に成功し,その結晶を利用して光陰極を作製し,高い太陽光-水素エネルギー変換効率を得た。本稿では,この3c-SiC光陰極を紹介する。

シソーラス用語： 環境工学 ,  技術 ,  *炭化ケイ素 ,  *光電陰極 ,  光合成 ,  光触媒反応 ,  エネルギー技術 ,  *人工光合成
準シソーラス用語： 次世代 ,  環境技術 ,  *光陰極

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  光合成  (EB10020I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 次世代 ,  環境 ,  エネルギー ,  創製 ,  SiC ,  光陰極 ,  人工光合成