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J-GLOBAL ID：201702282971305219   整理番号：17A1544947

電界p-GaNゲートを持つGaNベース電力H EMTの電流駆動分解:Mgドーピングレベルへの依存性【Powered by NICT】

Field- and current-driven degradation of GaN-based power HEMTs with p-GaN gate: Dependence on Mg-doping level

著者 (10件)： Rossetto I. (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy) ,  Meneghini M. (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy) ,  Canato E. (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy) ,  Barbato M. (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy) ,  Stoffels S. (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Posthuma N. (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Decoutere S. (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Tallarico A.N. (ARCES-DEI, University of Bologna, Cesena, Italy) ,  Meneghesso G. (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy) ,  Zanoni E. (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 76-77  ページ： 298-303  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文で著者らは順方向ゲートバイアスでストレスを受けたp-GaNゲートを持つGaN-HEMTの劣化を調べた。定電圧ストレスと短パルス応力の両方(TLP,伝送線パルスにより誘起された)の影響を検討した;三種類のMgドーピングレベル(2.110~19/cm~3から2.910~19/cm~3の範囲)を持つデバイスは,研究に使用した。は二つの異なる分解機構の存在を示し,ストレス条件に依存して(i)TLPストレス(振幅の増加と共に100nsパルス)を適用した場合,ゲートが正電圧であるときに破壊が場に駆動された過程,すなわち金属/p-GaN Schottky接合の破壊,逆バイアスにより生じた。破壊電圧はMgドーピングの増加とともに減少し,高いアクセプタ準位は,より高い電場をもたらすからである。(ii)逆に,定電圧ストレス中の,長期安定性は,電流駆動プロセス,すなわちp-GaN/AlGaN界面での正電荷の蓄積,漏れ電流の増加を促進するによる弱体化させ,最初の緩やかな,破局的である。p-GaN中のMg濃度を増加させるのは,高い順方向ゲートバイアスでゲート漏れ電流の減少をもたらした。結果として,より高いMgドーピングを持つデバイスは長いTTF(低いMgをドープした試料に比べて二桁以上の大きさ)を有していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電力 ,  漏れ電流 ,  *マグネシウム ,  *電場 ,  界面 ,  電圧 ,  *ドーピング ,  伝送線路 ,  *窒化ガリウム ,  パルス
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  逆バイアス ,  電圧ストレス ,  ゲートバイアス ,  *電流駆動 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaNH EMT ,  p-GaNゲート ,  伝送線路パルス(TLP) ,  長期信頼性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電界 ,  GaN ,  ゲート ,  EMT ,  電流駆動 ,  分解 ,  Mg ,  ドーピング ,  依存性