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J-GLOBAL ID：201702283216210945   整理番号：17A1836488

炭化けい素パワーMOSFETの衛星及び地上放射応答【Powered by NICT】

Space and terrestrial radiation response of silicon carbide power MOSFETs

著者 (5件)： Akturk Akin (CoolCAD Electronics, LLC, College Park, MD 20740 USA) ,  McGarrity James M. (CoolCAD Electronics, LLC, College Park, MD 20740 USA) ,  Wilkins Richard (Department of Electrical and Computer Engineering and the Center for Radiation Engineering and Science for Space Exploration, Prairie View A&M University, Prairie View, TX 77446 USA) ,  Markowski Adam (CoolCAD Electronics, LLC, College Park, MD 20740 USA) ,  Cusack Brendan (CoolCAD Electronics, LLC, College Park, MD 20740 USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NSREC  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電圧炭化けい素(SiC)パワーMOSFETに及ぼす重イオン,地上中性子と電離線量放射線の影響は重イオン曝露から生じるシングルイベント効果によると考えられる破壊モードと共に報告した。試験したSiCを基本とするパワーMOSFETは,特に定格素子電圧近傍同等シリコンパワーMOSFETとIGBTのそれらより有意に低い時間率の障害をもつ優れた地上中性子照射応答を示した。同じSiC MOSFETも同様の酸化物厚さをもったシリコンMOSFETのそれよりも有意に低いしきい値電圧シフトと優れた電離線量放射線応答を示した。しかしSiCパワーMOSFETは,重イオン曝露中の高電圧での突然の故障を持つ重イオン誘起シングルイベント効果(SEE)から有意に受け,露光後応力が低および中程度の電圧で破壊を誘導した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ケイ素 ,  酸化物 ,  放射線 ,  重イオン ,  中性子 ,  放射線量 ,  イオン化 ,  IGBT ,  電圧 ,  *MOSFET ,  中性子照射 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： 閾値電圧シフト ,  SEE【事象】 ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 炭化けい素 ,  パワーMOSFET ,  衛星 ,  地上 ,  放射 ,  応答