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J-GLOBAL ID：201702283330022996   整理番号：17A0742678

ゲート長が1nmのMoS₂トランジスタ

MoS₂ transistors with 1-nanometer gate lengths

著者 (19件)： DESAI Sujay B. (Univ. California, CA, USA) ,  DESAI Sujay B. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  MADHVAPATHY Surabhi R. (Univ. California, CA, USA) ,  MADHVAPATHY Surabhi R. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  SACHID Angada B. (Univ. California, CA, USA) ,  SACHID Angada B. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  LLINAS Juan Pablo (Univ. California, CA, USA) ,  LLINAS Juan Pablo (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  WANG Qingxiao (Univ. Texas at Dallas, TX, USA) ,  AHN Geun Ho (Univ. California, CA, USA) ,  AHN Geun Ho (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  PITNER Gregory (Stanford Univ., CA, USA) ,  KIM Moon J. (Univ. Texas at Dallas, TX, USA) ,  BOKOR Jeffrey (Univ. California, CA, USA) ,  BOKOR Jeffrey (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  HU Chenming (Univ. California, CA, USA) ,  WONG H.-S. Philip (Stanford Univ., CA, USA) ,  JAVEY Ali (Univ. California, CA, USA) ,  JAVEY Ali (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
資料名： Science  (Science)
巻： 354  号： 6308  ページ： 99-102  発行年： 2016年10月07日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  ゲート【半導体】 ,  *トランジスタ ,  漏れ電流 ,  トンネル効果 ,  電子顕微鏡観察 ,  CAD【計算機】 ,  *電流電圧特性 ,  電流 ,  電圧 ,  *硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン ,  TCAD ,  ドレイン電流 ,  ゲート電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ゲート長 ,  MoS2 ,  トランジスタ