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J-GLOBAL ID：201702283582123482   整理番号：17A0936990

ペンデオエピタクシーを利用した自己平坦化した量子ディスクにおけるナノワイヤ紫外線Bエミッタ【Powered by NICT】

Self-planarized quantum-disks-in-nanowires ultraviolet-B emitters utilizing pendeo-epitaxy

著者 (12件)： Janjua B. (King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Photonics Laboratory, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia. [e-mail]) ,  Sun H. ,  Zhao C. ,  Anjum D. H. ,  Wu F. ,  Alhamoud A. A. ,  Li X. ,  Albadri A. M. ,  Alyamani A. Y. ,  El-Desouki M. M. ,  Ng T. K. ,  Ooi B. S.
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 23  ページ： 7805-7813  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己組織化,垂直配向し,均一なナノワイヤ(NW)の成長は,効率的な発光デバイスのための課題として残っている。ここで,自然発生的凝集を伴う無転位AlGaN NW,n型にドープしたシリコン(100)基板上にプラズマ支援分子ビームエピタクシーによって成長させたを示した。高密度NW(充填率>95%)を最適化した成長条件の下で達成され,紫外(UV)-吸収高分子材料を用いた平坦化なしデバイス作製を可能にした。,発光スペクトルの半値全幅(FWHM)(~20 nm)における狭い全幅で~303nmで発光する,UV-B(280 320 nm)発光ダイオード(LED)をAl_xGa_1xN/Al_yGa_1 yN量子ディスク(Qdisks)の15スタックを埋め込んだ大きな活性領域(「活性region/NW長さ比」~50%)を用いて実証した。キャリア注入を改善するために,傾斜層はp型およびn型領域上のAlGaN/GaN界面で紹介した。本研究は低コストで拡張性のあるシリコン基板上の超薄,効率的なUV光電子デバイスを容易に作製するのに実行可能な方法を実証した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  ドーピング ,  *紫外線 ,  活性部位 ,  発光スペクトル ,  自己組織化 ,  キャリア注入 ,  最適化 ,  FWHM ,  MBE成長 ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  窒化アルミニウムガリウム ,  *量子ディスク ,  *平坦化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 自己 ,  平坦化 ,  量子ディスク ,  ナノワイヤ ,  紫外線B ,  エミッタ