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J-GLOBAL ID：201702283598560855   整理番号：17A0937654

第一原理研究からの単層βBiSbにおける歪誘起量子スピンH all絶縁体【Powered by NICT】

Strain induced quantum spin Hall insulator in monolayer β-BiSb from first-principles study

著者 (8件)： Yu Weiyang (School of Physics and Electronic Information Engineering, Henan Polytechnic University, Jiaozuo, 454000, China) ,  Niu Chun-Yao ,  Zhu Zhili ,  Cai Xiaolin ,  Zhang Liwei ,  Bai Shouyan ,  Zhao Ruiqi ,  Jia Yu
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 44  ページ： 27816-27822  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トポロジカル絶縁体(TI)は低消費電力電子素子への潜在的応用を有している優れた量子輸送特性を示す物質の特異的な相である。反転非対称な量子スピンH all(QSH)絶縁体を探索することは,新しいトポロジー現象を実現するための効果として存続している。第一原理密度汎関数理論計算を用いて,単層βBiSbの幾何学,動的安定性及び電子構造を研究した。は14%の二軸引張歪下のQSH状態を示すことを見出した。歪んだ系における非自明なトポロジー的状況を同定バンド反転,Z_2トポロジー不変量(Z_2=1)およびトポロジカルエッジ状態の明確な存在によって確認された。非対称構造に,原子価および歪んだ系の伝導バンドの両方で生産される顕著なRashbaスピン分裂。これらの結果は,将来の代替量子H allスピントロニクス素子における単分子層βBiSbの応用のための興味あるプラットフォームを提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子構造 ,  単分子層 ,  *第一原理 ,  伝導バンド ,  非対称性 ,  *単一層 ,  位相幾何学 ,  *絶縁体 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： スピントロニクス素子 ,  スピン分裂 ,  非対称構造 ,  トポロジカル不変量 ,  量子輸送 ,  *量子スピン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 第一原理 ,  研究 ,  単層 ,  誘起 ,  量子スピン ,  ALL ,  絶縁体