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J-GLOBAL ID：201702283615884936   整理番号：17A1090618

改善されたEPE性能に対するリソグラフィー及びパターニングの両過程の同時最適化

Co-optimization of lithographic and patterning processes for improved EPE performance

著者 (17件)： MASLOW Mark J. (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  TIMOSHKOV Vadim (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  KIERS Ton (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  JEE Tae Kwon (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  DE LOIJER Peter (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  MORIKITA Shinya (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  DEMAND Marc (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  METZ Andrew W. (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  OKADA Soichiro (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  KUMAR Kaushik A. (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  BIESEMANS Serge (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAEGASHI Hidetami (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  DI LORENZO Paolo (IMEC, Leuven, BEL) ,  BEKAERT Joost P. (IMEC, Leuven, BEL) ,  MAO Ming (IMEC, Leuven, BEL) ,  BERAL Christophe (IMEC, Leuven, BEL) ,  LARIVIERE Stephane (IMEC, Leuven, BEL)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10149  ページ： 101490N.1-101490N.16  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： inec N7(iN7)プラットフォームを開発し,高度なロジックBEOL層におけるEUV挿入を評価した。本研究では,SAQP ArF-i+SE EUVリソグラフィーでパターン形成されたiN7 Metal12ロジック構造を使用して,EPE性能の寄与する収支成分を調べた。記録過程は15.6nm6σのEPEパ性能を達成した。有効な最適化機能を実行して,EPEの成分の改良が全EPE性能に対して影響を及ぼすことを示した。最後に,最適化の有・無によるEPE関連の臨海縁端を測定し,平均場及びウエハCDU変動度の両方がこのパターンをて改善することを示すことができた。

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  *パターン形成 ,  誤差 ,  スペーサ ,  論理 ,  構造
準シソーラス用語： ロジック構造 ,  縁端配置誤差 ,  局所配置誤差

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： EPE ,  リソグラフィー ,  パターニング ,  過程 ,  同時最適化