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J-GLOBAL ID：201702283667049287   整理番号：17A1465186

低エネルギーE CRArプラズマ照射下でのSiH_4とCH_4反応を用いたSi(100)上のけい素-炭素合金膜の形成【Powered by NICT】

Silicon-Carbon alloy film formation on Si(100) using SiH₄ and CH₄ reaction under low-energy ECR Ar plasma irradiation

著者 (4件)： Sasaki Shogo (Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Sakuraba Masao (Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Akima Hisanao (Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Sato Shigeo (Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 70  ページ： 188-192  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)上のSi-C合金膜のエピタキシャル成長を,電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマ化学蒸着(CVD)における基板加熱無しで低エネルギーArプラズマ照射下でSiH_4とCH_4の表面反応により約5at%までC画分範囲で達成した。さらに,無歪Siよりも約1%大きい垂直格子定数を持つSi-C合金(C画分1.4at%)はエピタキシャル完全格子整合し,比較的高い温度でSi(100)上の引張り歪みSi-C合金エピタクシーの一般的に報告されている結果とは異なる,Si(100)上に成長できることが分かった。堆積中断は増加した歪を持つ膜の結晶品質を効果的に改善したことが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *アルゴン ,  格子整合 ,  *合金 ,  表面反応 ,  *プラズマ曝露 ,  プラズマCVD ,  格子定数 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  引張歪 ,  電子サイクロトロン共鳴 ,  *低エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： プラズマ化学蒸着 ,  ヘテロエピタキシャル成長 ,  シリコン ,  けい素-炭素合金 ,  X線回折 ,  逆空間地図

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低エネルギー ,  プラズマ照射 ,  Si ,  けい素 ,  炭素 ,  合金