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J-GLOBAL ID：201702283718753052   整理番号：17A1810883

計算機シミュレーションを利用した実用系における磁気ランダムアクセスメモリをもつ組込み型計算機のソフトエラー耐性とエネルギー消費の評価

Soft-error tolerance and energy consumption evaluation of embedded computer with magnetic random access memory in practical systems using computer simulations

著者 (3件)： NEBASHI Ryusuke (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SAKIMURA Noboru (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SUGIBAYASHI Tadahiko (NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 8  ページ： 0802B6.1-0802B6.5  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二つの計算機シミュレータを利用して,磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)をもつ組込み型計算機のソフトエラー耐性とエネルギー消費を評価した。一つは代表的な組込み型計算機システムの中央処理装置(CPU)シミュレータである。スピントランスファトルクMRAMセルの放射線誘起シングルイベントアプセット(SEU)確率およびその主メモリのSEUエラーによる代表的な組込み型計算機の故障率をシミュレーションした。もう一つは遅延耐性ネットワーク(DTN)システムシミュレータである。これは改定CPUシミュレータとネットワークシミュレータを使ってこのシステムの無線センサネットワークノードの電力散逸をシミュレーションする。1Gbit MRAM系ワーキングメモリをもつ組込み型計算機に対するSEU効果は1FIT(Faulure in Time))未満であることを実証した。MRAM系ワーキングメモリをもつDTNセンサノードのエネルギー消費は1/11まで低減できることも実証した。これらの結果はMRAM系ワーキングメモリが組込み型計算機の耐障害性を向上させることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *計算機シミュレーション ,  *MRAM ,  *ソフトエラー ,  *耐性 ,  *エネルギー消費 ,  シミュレータ ,  中央処理装置 ,  トルク ,  放射線 ,  *SEU【シングルイベント】 ,  *確率 ,  *故障率 ,  計算機網 ,  センサネットワーク ,  散逸 ,  記憶 ,  計算 ,  *コンピュータ
準シソーラス用語： CPU【計算機】 ,  スピントランスファトルク ,  ワーキングメモリ ,  遅延耐性ネットワーク ,  電力散逸 ,  無線センサネットワーク ,  組込みコンピューティング ,  組込みコンピュータ

分類 (3件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (29件)：

• E. Ibe, H. Taniguchi, Y. Yahagi, K. Shimbo, and T. Toba, Trans. Electron Devices 57, 1527 (2010).
• H. Koike, T. Ohsawa, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Tsuji, A. Morioka, S. Miura, H. Honjo, and T. Sugibayashi, Asian Solid-State Circuits Conf., 2013, p. 317.
• N. Sakimura, Y. Tsuji, R. Nebashi, H. Honjo, A. Morioka, K. Ishihara, K. Kinoshita, S. Fukami, S. Miura, N. Kasai, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu, and T. Sugibayashi, Int. Solid-State Circuits Conf. Dig. Tech. Pap., 2014, p. 184.
• E. Kitagawa, S. Fujita, K. Nomura, H. Noguchi, K. Abe, K. Ikegami, T. Daibou, Y. Kato, C. Kamata, S. Kashiwada, N. Shimomura, J. Ito, and H. Yoda, IEDM Tech. Dig., 2012, p. 677.
• G. Tsiligiannis, L. Dilillo, A. Bosio, P. Girard, A. Todri, A. Virazel, S. S. McClure, A. D. Touboul, F. Wrobel, and F. Saign?, IEEE Trans. Nucl. Sci. 60, 2617 (2013).

タイトルに関連する用語 (8件)： 計算機シミュレーション ,  磁気ランダムアクセスメモリ ,  組込み ,  計算機 ,  ソフトエラー ,  耐性 ,  エネルギー消費 ,  評価