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J-GLOBAL ID：201702283942343071   整理番号：17A1138536

金属Cd原料を用いた気相成長法による(211)Si基板上へのCdTe成長

著者 (6件)： 極檀優也 (東京農工大 大学院) ,  磯憲司 (東京農工大 大学院) ,  磯憲司 (三菱ケミカル) ,  白石万壽実 (東京農工大 大学院) ,  村上尚 (東京農工大 大学院) ,  纐纈明伯 (東京農工大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.5p-A411-8  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *テルル化カドミウム ,  *薄膜成長 ,  半導体薄膜 ,  *気相成長 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  前駆体 ,  カドミウム ,  表面性状
準シソーラス用語： *VPE成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cd ,  原料 ,  気相成長 ,  Si基板 ,  CdTe ,  成長