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J-GLOBAL ID:201702283942343071   整理番号:17A1138536

金属Cd原料を用いた気相成長法による(211)Si基板上へのCdTe成長

著者 (6件):
資料名:
巻: 78th  ページ: ROMBUNNO.5p-A411-8  発行年: 2017年08月25日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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