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J-GLOBAL ID:201702283953821426   整理番号:17A0504497

高速光検出器のためのp型ZnTe NW/In Schottkyダイオードの制作

Fabrication of p-type ZnTe NW/In Schottky diodes for high-speed photodetectors
著者 (6件):
資料名:
巻: 28  号:ページ: 1720-1725  発行年: 2017年01月 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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Nドープp型ZnTe NWをNH3をドーパントにしたCVDで制作し,Au/ZnTe NW/InのSchottky接合を作った。ZnTe/In Schottky接合素子の整流特性は±5Vで103の優れた値を示した。Schottky 接合の光応答は照明に対して高感度で安定していて,再現性と応答速度は69/120μsと速い。Au/ZnTe NW/InのSchottky接合は将来のナノエレクトロニクスや光エレクトロニクスに使える可能性が高い。
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分類 (2件):
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ダイオード  ,  測光と光検出器一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
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