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J-GLOBAL ID：201702283989215765   整理番号：17A0550322

水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法による位置制御された極微細InGaN/GaN量子井戸ナノピラーの作製と評価

著者 (7件)： 生江祐介 (上智大 理工) ,  水谷友哉 (上智大 理工) ,  石嶋駿 (上智大 理工) ,  小川航平 (上智大 理工) ,  松岡明裕 (上智大 理工) ,  菊池昭彦 (上智大 理工) ,  菊池昭彦 (上智大 ナノテクセ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16p-503-3  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  *量子井戸 ,  *ナノ構造 ,  *柱 ,  *エッチング ,  水素 ,  *位置制御 ,  スペクトル ,  *ナノピラー ,  *窒化インジウムガリウム ,  *立体
準シソーラス用語： *InGaN ,  *GaN ,  *異方性熱エッチング ,  PLスペクトル

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (13件)： 水素雰囲気 ,  異方性 ,  エッチング ,  法 ,  位置制御 ,  極 ,  微細 ,  InGaN ,  GaN ,  量子井戸 ,  ナノピラー ,  作製 ,  評価