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J-GLOBAL ID:201702284040720799   整理番号:17A1567860

0.13μm(Bi)CMOS技術における改善された帯域内平坦性と阻止帯域減衰を用いた小型オンチップ帯域通過フィルタ【Powered by NICT】

Compact On-Chip Bandpass Filter With Improved In-Band Flatness and Stopband Attenuation in 0.13- $¥mu ¥text{m}$ (Bi)-CMOS Technology
著者 (6件):
資料名:
巻: 38  号: 10  ページ: 1359-1362  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本稿では,オンチップ小型化帯域通過フィルタ(BPF)を提案したが,これはシャント容量性負荷を有する接地中心タップ付きリング共振器(CTRR)に基づいている。この設計の原理を解析するために,簡単だが効果的な等価回路モデルを提示した。このモデルを用いて,CTRRベースアプローチは,通過帯域内で二電柱を生成する可能性を持つことを示したが容易である。従来の単一極に基づくアプローチと比較して,この二重極設計は通過帯域幅を制御する柔軟性を持っているだけでなく,通過帯域での挿入損の優れた平坦性を示した。加えて,この方法は阻止帯域性能を大幅に改善することができた。更なる診療におけるこの方法の実現可能性を実証するために,構造は,市販の0.13μm(Bi)CMOS SiGe技術で実行し,作製した。測定結果は,BPFは42.4%の帯域幅で33GHzの中心周波数を持つことを示した。最小挿入損は2.6dBであり,一方,阻止帯域除去は58GHzを超えて20dBよりも良好に維持された。パッドを除くチップはわずか0.03mm~2(0.11×0.28 mm ~2)での非常に小型である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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