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J-GLOBAL ID：201702284053526565   整理番号：17A1777808

光触媒水素発生のための高欠陥ハイブリッドナノ触媒の熱触媒的合成【Powered by NICT】

Thermocatalytic syntheses of highly defective hybrid nano-catalysts for photocatalytic hydrogen evolution

著者 (6件)： Weng Xiaole (Key Laboratory of Environment Remediation and Ecological Health, Ministry of Education, College of Environmental and Resource Sciences, Zhejiang University, Zhejiang Provincial Engineering Research Center of Industrial Boiler & Furnace Flue Gas Pollution ...) ,  Zhang Yili ,  Bi Feng ,  Dong Fan ,  Wu Zhongbiao ,  Darr Jawwad A.
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 45  ページ： 23766-23775  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バンド構造を変化させ,半導体の励起電子-正孔再結合経路/寿命に影響を及ぼすので,欠陥は多くの触媒プロセスにおいて重要な役割を果たし,特に半導体の光触媒プロセス。本報告では,著者らは高度に欠陥のある光触媒の生産への容易な経路の開発について述べた。,有機種は金属-酸化物-半導体触媒の表面に結合し,続いてN_2における比較的低温時効により,有機物を除去し,表面からの酸素分子を誘引するために,酸素空格子点を生成した。特に,合成,有機物の完全酸化を促進し,表面でより多くの酸素空格子点を残し,さらに光触媒水素発生を駆動する宿主触媒との密接なヘテロ接合を形成するthermocatalystとして作用する時の助触媒を導入した。犠牲系での著者らが開発したNiO TiO_2欠損ヘテロ接合のための水素発生速度は約1.41mmol g~( 1)h~( 1)であり,文献で報告された類似の触媒のそれよりもはるかに高かった(一般的に水素発生速度<0.4mmol g~( 1)h~( 1)を示す)で測定した。,他の分析法と共に,計算機シミュレーションでは,発生した表面酸素空孔がTiO_2における電子透過ギャップを狭くなり,H_2を生成するために吸着したH_2Oと光誘起捕獲された電子の間の反応のための活性サイトとして作用することをTiO_2のVBMおよびCBM内の一連の不純物エネルギー準位を誘導することを示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *光触媒 ,  活性部位 ,  半導体 ,  捕獲 ,  有機物 ,  計算機シミュレーション ,  バンド構造 ,  *触媒 ,  低温 ,  正孔 ,  酸化物 ,  再結合
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  *水素発生 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光触媒 ,  水素発生 ,  欠陥 ,  ナノ触媒 ,  触媒