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J-GLOBAL ID:201702284057224722   整理番号:17A0444868

エレクトロマイグレーション中のSn15Biはんだ接合における近共晶相層の生成【Powered by NICT】

Generation of near eutectic phase layer in Sn-15Bi solder joint during electro-migration
著者 (4件):
資料名:
巻: 191  ページ: 193-195  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0935A  ISSN: 0167-577X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Sn15Biはんだ接合のエレクトロマイグレーション試験は160A/cm~2の電流密度で150°Cで行った。エレクトロマイグレーション時間の延長として近共晶相の層厚は,Sn15Biはんだ接合のアノード側界面に観察された。カソード側のBi分率エレクトロマイグレーション時間の増加とともに減少した。近共晶相層のBi原子はβ-Sn相の固溶体Bi原子であった。Bi原子の拡散が電子流の影響下での上り坂拡散であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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