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J-GLOBAL ID：201702284288165878   整理番号：17A0401005

無線周波数反応性マグネトロンスパッタリングにより作製したFとSiを同時ドープしたダイヤモンド状炭素膜の接着挙動【Powered by NICT】

Adhesion behavior of diamond-like carbon films with F and Si co-doping prepared by radio frequency reactive magnetron sputtering

著者 (6件)： Wu Wei (College of Physics, Optoelectronics and Energy of Soochow University, Suzhou, 215006, China) ,  Zhu Zhipeng (College of Physics, Optoelectronics and Energy of Soochow University, Suzhou, 215006, China) ,  Min Jiawei (College of Physics, Optoelectronics and Energy of Soochow University, Suzhou, 215006, China) ,  Zhang Jiandong (College of Physics, Optoelectronics and Energy of Soochow University, Suzhou, 215006, China) ,  Qian Non (College of Physics, Optoelectronics and Energy of Soochow University, Suzhou, 215006, China) ,  Jiang Meifu (College of Physics, Optoelectronics and Energy of Soochow University, Suzhou, 215006, China)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 622  ページ： 89-94  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FとSi共ドーピング(DLC:F:Si膜)とダイヤモンド状炭素(DLC)膜は,原料ガスとSiC結晶ターゲットとしてトリフルオロメタン(CHF_3)とアルゴンを用いた高周波反応性マグネトロンスパッタリングを用いた医用316Lステンレス鋼基板上に堆積した。DLC:F:Si膜のRF入力パワーと接着挙動の間の関係を検討した。表面形態と粗さ,硬度,.~2.~3ハイブリダイゼーション比,と結合配置は,原子間力顕微鏡(A FM),ナノインデンテーション,Raman分光計,Fourier変換赤外(FTIR)分光計と摩擦摩耗試験機による接着進化を証明するために特性化した。RF入力パワーの関数としてF_2CC<伸縮振動(1710cm~ 1)CF対称伸縮振動(1160cm~ 1)の相対強度CF_2非対称伸縮振動(1220cm~ 1)とHFCC<伸縮振動(1620cm~ 1)は特に実証した。結果は,適切なRF入力パワーを選択DLC:F:Si膜の構造と接着特性を調節できることを示した。約200WのRF入力パワーで作製したDLC:F:Si膜は安定な結合立体配座を持ち,良好な接着性,硬度および耐摩耗性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *接着 ,  Raman分光法 ,  キャラクタリゼーション ,  炭化ケイ素 ,  *ケイ素 ,  対称性 ,  原子間力顕微鏡 ,  耐摩耗性 ,  分光計 ,  *ドーピング ,  ナノインデンテーション ,  アルゴン ,  硬度
準シソーラス用語： 表面形態 ,  *反応性マグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 無線周波数反応性マグネトロンスパッタリング ,  接着挙動 ,  共ドーピング ,  DLC膜

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (7件)： 無線周波数 ,  反応性マグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  Si ,  ドープ ,  ダイヤモンド状炭素 ,  挙動