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J-GLOBAL ID：201702284379687507   整理番号：17A1036212

自動車SRAMにおけるソフトエラー率とシングルイベントラッチアップに及ぼすボディバイアスの批判的再検討【Powered by NICT】

A critical re-examination of body-bias on the soft error rate and single-event latch-up in automotive SRAMs

著者 (3件)： Mahatme N. N. (NXP Semiconductors, Austin, TX, 78735) ,  Min B. (NXP Semiconductors, Austin, TX, 78735) ,  Loiko K. (NXP Semiconductors, Austin, TX, 78735)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IRPS  ページ： 2E-2.1-2E-2.5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ボディバイアスは,現代の集積回路のための電力/性能を調節するために使用されている。しかし,付加的なソフトエラー率(SER)とシングルイベントラッチアップ(SEL)影響を与えた。バイポーラ作用,電荷収集機構と駆動電流変化の物理を90nm技術を用いたボディバイアスの影響を定量化するために調べた。結果は,ある場合には基板バイアス制御動作は低電力のとらえどころのない目標を達成すると共にSERとSELを低下させるのを助けることができることを示した。実践実用設計限界は低電力・高信頼性,特に高温自動車環境を達成するために,バイアスの程度に提案した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *自動車 ,  *SRAM ,  高温 ,  集積回路 ,  制御動作 ,  *バイアス ,  電力
準シソーラス用語： 高信頼性 ,  低電力化 ,  駆動電流 ,  電荷収集 ,  *基板バイアス ,  *SEL【シングルイベント】 ,  *ソフトエラー率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自動車 ,  SRAM ,  ソフトエラー率 ,  シングルイベントラッチアップ ,  ボディバイアス