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J-GLOBAL ID：201702284454484146   整理番号：17A0313229

有機薄膜トランジスタに基づくπ共役小分子テトラフェニルジベンゾペリフランテンの特性評価とモデリング:チャネル長の影響【Powered by NICT】

Characterization and modeling of organic thin-film transistors based π-conjugated small molecule tetraphenyldibenzoperiflanthene: Effects of channel length

著者 (5件)： Boukhili W. (Laboratoire de Physique des Materiaux: Structure et Proprietes, Groupe Physique des Composants et Dispositifs Nanometriques, Faculte des sciences de Bizerte, 7021 Jarzouna-Bizerte, Universite de carthage, Tunisia) ,  Boukhili W. (Department d’Enginyeria Electronica, Universitat Politecnica de Catalunya, C/Jordi Girona, Modul C4, Barcelona 08034, Spain) ,  Mahdouani M. (Laboratoire de Physique des Materiaux: Structure et Proprietes, Groupe Physique des Composants et Dispositifs Nanometriques, Faculte des sciences de Bizerte, 7021 Jarzouna-Bizerte, Universite de carthage, Tunisia) ,  Bourguiga R. (Laboratoire de Physique des Materiaux: Structure et Proprietes, Groupe Physique des Composants et Dispositifs Nanometriques, Faculte des sciences de Bizerte, 7021 Jarzouna-Bizerte, Universite de carthage, Tunisia) ,  Puigdollers J. (Department d’Enginyeria Electronica, Universitat Politecnica de Catalunya, C/Jordi Girona, Modul C4, Barcelona 08034, Spain)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 160  ページ： 39-48  発行年： 2016年07月01日 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々のチャネル長をもつP型有機薄膜トランジスタ(OTFTs)をSi/SiO_2基板上に活物質として小テトラフェニルジベンゾペリフランテン(DBP)を用いた熱蒸発により作製し,特性化した。線形および飽和領域におけるボトムゲートボトムコンタクトを用いて調製したDBPベースの有機薄膜トランジスタ(DBP TFTs)の電気的性能に及ぼすチャネル長の影響を系統的に調べた。チャネル長は,線形と飽和領域における低下したすべてのデバイスは出力と伝達ドレイン電流の著しい増加を示した。DBP TFTの実験的電気データ電流-電圧から抽出されたチャンネル長さの変化によって相互コンダクタンス(g_m),電界効果移動度(μ_linとμ_sat),接触及び全抵抗(R_CとR_T),しきい値電圧(V_th),全トラップ密度(N_trap),サブしきい値勾配(SS),界面トラップ密度(D_it),ターンオン電圧(V_on)と比電流(I_on/I_off)のような電気的パラメータの変化を報告した。電界効果移動度はチャネル長寸法に非常に依存することを見出した。も小さいチャネル長に対しては,短いチャネル長(良好な飽和移動度と電流比μ_sat。_max=3×10~ 2cm~2V~ 1s~ 1,1.6×10~4,L=2.5μm)を持つ良好な移動度とDBP TFTの良好な比電流をもたらすことを示した。開発したモデルは,チャネル長(L)のすべての値に対する測定データと良い一致を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  移動度 ,  相互コンダクタンス ,  *モデリング ,  線形性 ,  ケイ素
準シソーラス用語： ターンオン電圧 ,  界面トラップ ,  サブ閾値 ,  トラップ密度 ,  閾値電圧 ,  電界効果移動度 ,  ドレイン電流 ,  *チャネル長 ,  *有機薄膜トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： チャネル長さの影響 ,  π共役小分子 ,  DBP TFT ,  モデリング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機薄膜トランジスタ ,  π共役 ,  小分子 ,  特性評価 ,  モデリング ,  チャネル長