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J-GLOBAL ID：201702284481306984   整理番号：17A0591879

垂直NAND型フラッシュメモリデバイスにおけるワード線干渉に対する非対称ストリング構造の影響

Effects of Asymmetric String Structure on Word-Line Interference in the Vertical NAND Flash Memory Devices

著者 (3件)： LEE Jun Gyu (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  YOO Keon-Ho (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Tae Whan (Hanyang Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 6  ページ： 4173-4175  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,非対称ストリング構造を有する垂直NAND型フラッシュメモリデバイスを提案し,セル間干渉中のワード線干渉の低減について報告した。非対称ストリング構造を有する疑似垂直NAND型フラッシュメモリの構成は,30nmストリング,4nmトンネル酸化物,8nm窒化物フローティングゲート,12nmブロッキング酸化物,および14nm金属の制御ゲート,並びに垂直ストリングに沿って周期的にゲートを配置し,50nmのゲート長および30nmの内部多結晶誘電体とした。このフラッシュメモリ構成について,帯域間トンネリングモデル,非局所パストンネリングモデル,および障壁トンネリングモデルを用いて,電気的特性のシミュレーションを実行した。著者等は,閾値電圧シフトと電場の差が,非対称因子の増加に伴い減少し,ワード線干渉の減少が,目標セルと隣接するストリングに位置する3つの最近接セル間の平均距離の増加により説明できることを示した。

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,  *配線 ,  非対称性 ,  *構造 ,  酸化物 ,  窒化物 ,  フローティングゲート ,  ブロッキング ,  トンネル効果 ,  ゲート【半導体】 ,  誘電体 ,  シミュレーションモデル ,  *電気的性質 ,  電圧 ,  ポリシリコン ,  キャリア捕獲
準シソーラス用語： *NANDフラッシュメモリ ,  *ワード線 ,  *非対称構造 ,  ブロッキング効果 ,  *電気的特性 ,  閾値電圧 ,  多結晶シリコン ,  電荷トラップ

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (6件)： 垂直 ,  NAND ,  フラッシュメモリデバイス ,  ワード線 ,  干渉 ,  非対称