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J-GLOBAL ID：201702284509601137   整理番号：17A1639071

電荷プラズマdopinglessデバイスにおける衝突イオン化とトンネル掘削作業【Powered by NICT】

Impact ionization and tunneling operations in charge-plasma dopingless device

著者 (8件)： Kim Minsuk (Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea) ,  Kim Yoonjoong (Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea) ,  Lim Doohyeok (Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea) ,  Woo Sola (Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea) ,  Im Kyeungmin (Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea) ,  Cho Jinsun (Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea) ,  Kang Hyungu (Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea) ,  Kim Sangsig (Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 111  ページ： 796-805  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,衝突イオン化と新たに設計したdopinglessデバイスにおけるトンネリング動作を示した。著者らの提案した素子はpチャネル衝突イオン化MOSFET(p IMOS)またはnチャネルトンネル電界効果トランジスタ(n TFET)選択的にとして機能する-バイアス条件に従った。dopinglessデバイスを実現するために,電荷プラズマ効果は,ドーピングプロセス無しでもp型領域を誘導し,適切な仕事関数を持つ電極金属を選択することである。p IMOSおよびn TFET動作モード下で装置のバンド図,I-V特性,サブしきい値スイング(SS),及びキャリア濃度プロファイルは,本研究で分析し,市販デバイスシミュレータを使用している。素子はp IMOS運転モード下で0.53mV/decの極端に低いSSが得られた。も約10~8のOFF約10~ 14Aと高I_ON/Iの低いオフ電流を示し,n TFET動作モード。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 仕事関数 ,  *衝突イオン化 ,  キャリア密度 ,  *プラズマ ,  トンネル効果 ,  運転モード ,  バイアス ,  *電荷 ,  電流電圧特性 ,  チャネル
準シソーラス用語： オフ電流 ,  デバイスシミュレータ ,  サブ閾値スイング ,  トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電荷プラズマ効果 ,  トンネリング ,  衝突イオン化 ,  ドーピングのないsuper ,  二重機能性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電荷 ,  プラズマ ,  衝突イオン化 ,  トンネル ,  掘削作業