Kim Minsuk について
Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea について
Kim Yoonjoong について
Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea について
Lim Doohyeok について
Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea について
Woo Sola について
Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea について
Im Kyeungmin について
Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea について
Cho Jinsun について
Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea について
Kang Hyungu について
Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea について
Kim Sangsig について
Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea について
Superlattices and Microstructures について
仕事関数 について
衝突イオン化 について
キャリア密度 について
プラズマ について
トンネル効果 について
運転モード について
バイアス について
電荷 について
電流電圧特性 について
チャネル について
オフ電流 について
デバイスシミュレータ について
サブ閾値スイング について
トンネル電界効果トランジスタ について
電荷プラズマ効果 について
トンネリング について
衝突イオン化 について
ドーピングのないsuper について
二重機能性 について
トランジスタ について
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について
電荷 について
プラズマ について
衝突イオン化 について
トンネル について
掘削作業 について