文献

J-GLOBAL ID：201702284639895021   整理番号：17A1727271

pGaNゲートH EMTデバイスにおけるゲートスタック最適化のためのTCAD【Powered by NICT】

TCAD for gate stack optimization in pGaN Gate HEMT devices

著者 (8件)： Jaud M.-A. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France) ,  Baines Y. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France) ,  Charles M. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France) ,  Morvan E. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France) ,  Scheiblin P. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France) ,  Torres A. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France) ,  Plissonnier M. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France) ,  Barbe J.-C. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SISPAD  ページ： 113-116  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： pGaNゲートH EMTは,マグネシウム(Mg)ドーピングの使用はしきい値電圧(Vth)の変調を可能にするオン状態抵抗(Ron)分解のコストでなのではなく有望な通常オフトランジスタである。本研究では,実験データと一致し電気的パラメータ(VthとRon)の両方に及ぼすMgドーピングの影響を記述する厳密なTCADシミュレーションを提案した。はこのVth Ronプロセスウィンドウを最適化するための追加手段としてTCADの重要性を強調するCopyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *最適化 ,  マグネシウム
準シソーラス用語： プロセスウィンドウ ,  オン状態 ,  閾値電圧 ,  *TCAD ,  *ゲートスタック , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート ,  EMT ,  ゲートスタック ,  最適化 ,  TCAD