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J-GLOBAL ID：201702284781667179   整理番号：17A0527126

フライカッティングで平面化した電気メッキ金封フレームを使用したウエハレベルハーメチック熱圧着接合

Wafer-level hermetic thermo-compression bonding using electroplated gold sealing frame planarized by fly-cutting

著者 (4件)： AL FARISI Muhammad Salman (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HIRANO Hideki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FROEMEL Joerg (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TANAKA Shuji (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 27  号： 1  ページ： 015029,1-10  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体デバイスのマイクロ製造技術のハーメチックパッケージング技術について検討した。電気めっきAuマイクロスケールフレームを使用した,熱圧着接合プロセスについて調べた。Auは比較的安定で,空気中で容易に参加されない。2つのウエハのサイズは2.5×2.5mmで,真空環境で,熱圧着される。シールフレーム幅は,30,50μmである。接合プロセスの後,ハーメチックシールとシールされたキャビティの劣化メカニズムを解析し,真空シーリング質の改善策を提示した。パッケージデバイスの漏れ率は,2.0×10^-14Pam³s^-1であった。接合せん断強さは100MPaであった。

シソーラス用語： *ハーメチックシール ,  *ウエハ【IC】 ,  *接合 ,  電気めっき ,  裁断 ,  金 ,  劣化 ,  剪断強さ ,  比率
準シソーラス用語： Au ,  カッティング ,  *熱圧着 ,  漏れ率

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： フライ ,  カッティング ,  電気メッキ ,  圧着接合