Kawaharazuka A. について
Kagami Memorial Laboratory for Materials Science and Technology, Waseda University, 2-8-26 Nishi-Waseda, Shinjuku, Tokyo 169-0051, Japan について
Horikoshi Y. について
Kagami Memorial Laboratory for Materials Science and Technology, Waseda University, 2-8-26 Nishi-Waseda, Shinjuku, Tokyo 169-0051, Japan について
Horikoshi Y. について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan について
Journal of Crystal Growth について
RHEED について
液滴 について
表面構造 について
ヒ素 について
ヒ化ガリウム について
半導性 について
単一層 について
初期条件 について
ガリウム について
MBE成長 について
再構成 について
エピタクシー について
鏡面 について
A3マイグレーション増強エピタクシー について
A1は反射高エネルギー電子回折 について
A1表面過程 について
A1表面構造 について
B2半導性ひ化ガリウム について
A3分子ビームエピタクシー について
半導体薄膜 について
GaAs について
堆積 について
Ga について
原子 について
挙動 について