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J-GLOBAL ID：201702284793583791   整理番号：17A1557622

GaAs(111)B及び(111)A表面上に堆積させたGa原子の挙動【Powered by NICT】

Behavior of Ga atoms deposited on GaAs (111)B and (111)A surfaces

著者 (3件)： Kawaharazuka A. (Kagami Memorial Laboratory for Materials Science and Technology, Waseda University, 2-8-26 Nishi-Waseda, Shinjuku, Tokyo 169-0051, Japan) ,  Horikoshi Y. (Kagami Memorial Laboratory for Materials Science and Technology, Waseda University, 2-8-26 Nishi-Waseda, Shinjuku, Tokyo 169-0051, Japan) ,  Horikoshi Y. (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 477  ページ： 25-29  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反射高エネルギー電子回折の鏡面スポットの強度測定によるGaAs(111)B及び(111)A表面に蒸着したGa原子の挙動を調べた。これら二表面の特性は非常に異なっていた。(111)B表面では,表面はGaの一単層で完全に被覆されるまで堆積したGa原子は19×19再構成のGa空格子点を埋めることを明らかにした。完全に覆われた表面上に堆積した過剰原子は液滴を形成し,回復プロセス中にGa源として作用した。表面はAsを供給することにより初期条件を回復する。成長配列により制御されたAs安定化とGa安定化表面の形成GaAs(111)B表面上のマイグレーション促進エピタクシーを可能にした。(111)A表面では,対照的に,安定な表面はAs照射下でも2×2再構成である。Gaの堆積は,表面上の液滴を形成するだけである。As安定化表面が形成するは困難であるためMEEモード成長はこの表面では適していない。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： RHEED ,  液滴 ,  表面構造 ,  *ヒ素 ,  *ヒ化ガリウム ,  半導性 ,  単一層 ,  初期条件 ,  *ガリウム ,  MBE成長 ,  再構成 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： 鏡面 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A3マイグレーション増強エピタクシー ,  A1は反射高エネルギー電子回折 ,  A1表面過程 ,  A1表面構造 ,  B2半導性ひ化ガリウム ,  A3分子ビームエピタクシー

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  堆積 ,  Ga ,  原子 ,  挙動