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J-GLOBAL ID：201702284820509863   整理番号：17A0386061

シリコン(111)面上の緩和したアルミニウム単結晶の変成成長

Metamorphic growth of relaxed single crystalline aluminum on silicon (111)

著者 (6件)： McSkimming Brian M. (Laboratory for Physical Sciences, University of Maryland, 8050 Greenmead Dr., College Park, Maryland 20740) ,  Alexander Ashish (Laboratory for Physical Sciences, University of Maryland, 8050 Greenmead Dr., College Park, Maryland 20740) ,  Samuels Margaret H. (Laboratory for Physical Sciences, University of Maryland, 8050 Greenmead Dr., College Park, Maryland 20740) ,  Arey Bruce (Pacific Northwest National Laboratory, Richland, Washington 99352) ,  Arslan Ilke (Pacific Northwest National Laboratory, Richland, Washington 99352) ,  Richardson Christopher J. K. (Laboratory for Physical Sciences, University of Maryland, 8050 Greenmead Dr., College Park, Maryland 20740)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 35  号： 2  ページ： 021401-021401-6  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1×1,7×7,√3×√3の再構成Si(111)面上に,分子線エピタキシー法にて形成したアルミニウム薄膜の構造特性は,核形成速度と変成エピタキシャル薄膜の成長欠陥との関係を示している。高分解能X線回折の系統的走査と(111)極点図とによると,1×1再構成Si表面上の成長では(100)と(111)との回折ピークをもつ多結晶Alを生じ,六回対称極点図から求められるように大角度の双晶成長が起こる。7×7再構成Si表面上の成長では,双晶は六回対称極点図を伴いAl(111)ピークのみを示す。√3×√3再構成面上のAlの成長では,ほぼ双晶のない単結晶のAl(111)薄膜が実現される。原子間力顕微鏡により,Al薄膜の表面粗さは結晶品質とともに改善されることが示される。走査型透過電子顕微鏡(STEM)によると,双晶は基板と薄膜の界面ではじまり薄膜表面まで伸びていて,最初の数層のアルミニウム成長の間に形成される成長欠陥であることを示している。さらに,STEMからは,不整合転位の周期的配列を通じて,不整合歪みが界面から数原子層の間に緩和していることがわかる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アルミニウム ,  *単結晶 ,  薄膜成長 ,  *MBE成長 ,  *金属薄膜 ,  核形成 ,  欠陥 ,  *ヘテロエピタクシー ,  基板 ,  ケイ素 ,  *表面再構成 ,  X線回折 ,  極点図 ,  双晶 ,  原子間力顕微鏡 ,  *表面粗さ ,  不整合転位 ,  格子歪 ,  *緩和現象
準シソーラス用語： 変成成長 ,  不整合歪 ,  *歪緩和

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  緩和 ,  アルミニウム ,  単結晶 ,  変成 ,  成長