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J-GLOBAL ID：201702284857404540   整理番号：17A0634880

薄いゲート酸化物を持つAl/SiO₂/n-SiC構造における界面特性の照射による研究

Investigation of interface property in Al/SiO₂/n-SiC structure with thin gate oxide by illumination

著者 (2件)： CHANG P.K. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  HWU J.G. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 123  号： 4  ページ： 261,1-8  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄いゲート酸化物を持つAl/SiO₂/n-SiC構造の電気的特性(ゲート電流-電圧,及び容量-電圧)に及ぼす光照射の効果を通じて,その界面特性を調べた。青色LED照射下では,この構造の負バイアス電圧下でのゲート電流は減少したが,紫外ランプ照射下では逆に増大した。これは次のように説明された。青色LED照射の場合,価電子帯の電子が界面状態に捕獲され,この状態を通じたゲート注入電子のトンネリングを阻止してゲート電流を減少させる。紫外ランプ照射の場合,界面状態に捕獲された電子が光源オフ後に放出されてゲート電流の回復をもたらす。一方,光照射下での容量-電圧曲線には電子捕獲に起因するヒステリシスが観測されたが,青色LED及び紫外ランプ照射下でのその相違から界面状態密度が決定された。

シソーラス用語： *アルミニウム ,  *炭化ケイ素 ,  *光照射 ,  発光ダイオード ,  紫外線照射 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  電流 ,  電子捕獲 ,  表面準位 ,  *MOS構造 ,  *二酸化ケイ素 ,  *界面 ,  *キャリア捕獲
準シソーラス用語： 青色LED ,  ゲート電流 ,  界面状態

分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート酸化物 ,  Al ,  SiO2 ,  SiC ,  界面特性 ,  研究