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J-GLOBAL ID：201702284883170164   整理番号：17A1273410

HCl SOA強化のための遮蔽接触構造をもつ新しい高電圧LDMOS【Powered by NICT】

A novel high-voltage LDMOS with shielding-contact structure for HCl SOA enhancement

著者 (7件)： Liu Hsin-Liang (Specialty Technology, United Microelectronics Corporation, Hsinchu, Taiwan) ,  Jhou Ze-Wei (Specialty Technology, United Microelectronics Corporation, Hsinchu, Taiwan) ,  Huang Shih-Teng (Specialty Technology, United Microelectronics Corporation, Hsinchu, Taiwan) ,  Lin Shu-Wen (Specialty Technology, United Microelectronics Corporation, Hsinchu, Taiwan) ,  Lin Ke-Feng (Specialty Technology, United Microelectronics Corporation, Hsinchu, Taiwan) ,  Lee Chiu-Te (Specialty Technology, United Microelectronics Corporation, Hsinchu, Taiwan) ,  Wang Chih-Chong (Specialty Technology, United Microelectronics Corporation, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISPSD  ページ： 311-314  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート接続遮蔽接触構造を持つ新しいLDMOSを示し,余分なマスクやプロセスが必要である。TCADシミュレーションは提案した構造と低い電気ポテンシャルと衝突イオン化を明らかにした。Ron sp/BVD比低減と有意なHCl SOA改善は,実際のシリコン上の検証した。スロットポリ設計とレイアウトがいかにしてより良いプロセス制御に対しても調べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： プロセス制御 ,  *塩酸 ,  電位 ,  衝突イオン化 ,  シミュレーション ,  ケイ素
準シソーラス用語： TCAD ,  *LDMOS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： HCl ,  SOA ,  強化 ,  遮蔽 ,  高電圧 ,  LDMOS