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J-GLOBAL ID：201702285016253268   整理番号：17A0702833

部位選択的X線吸収分光法によるNdNiO_3膜における金属-絶縁体転移の研究【Powered by NICT】

Investigation of the metal-insulator transition in NdNiO₃ films by site-selective X-ray absorption spectroscopy

著者 (7件)： Palina Natalia (Singapore Synchrotron Light Source, National University of Singapore, Singapore 117603, Singapore. [e-mail] [e-mail]) ,  Wang Le ,  Dash Sibashisa ,  Yu Xiaojiang ,  Breese Mark B. H. ,  Wang Junling ,  Rusydi Andrivo
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 18  ページ： 6094-6102  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,パルスレーザ蒸着を用いたSrTiO_3(STO)基板上に成長させた多機能酸化物NdNiO_3(NNO)薄膜を研究した。温度依存抵抗率測定は,NNO/STO試料は150 200の範囲で鋭い厚さに依存する金属-絶縁体転移(MIT)を示すことを明らかにした。相関酸化物の電子的性質は非常に複雑で,軌道占有率の変化に敏感であることが知られている。MITの原因となる電子および/または結晶学的構造の変化を評価するために,サイト選択(O,NiおよびNd)X線近吸収端構造(XANES)分析は,転移温度の上下で行った。XANESスペクトルの分析は,以下のことを示唆している(i)NNO膜の名目上三価Niイオンは,多重原子価(結合不均化)を示し,(ii)金属間ハイブリダイゼーションが重要な役割を果たす,(iii)低温で強いO2p O2p空孔相関の存在は,p-pギャップの開きをもたらし,(iv)Ndイオンの原子価はNd~3+のそれと良く一致した。鋭いMITを示すNNO膜では,Niの3d電子局在化とNi3D~8とNi3D~8L[結合低線]~2状態の同時存在が観測された転移の原因である。MIT以下の温度ではO2p O2p空孔相関はOの零二pバンド安定化絶縁相を分割するために十分な強さであった。サイト選択XANESデータで観測された温度と厚さ依存性相違はMITの可能な機構(負電荷移動型)の観点から議論した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化物 ,  低温 ,  転移温度 ,  電気抵抗率 ,  *X線吸収分光法 ,  電荷移動 ,  原子価 ,  *ニッケル ,  薄膜 ,  *金属-絶縁体転移 ,  *ネオジム ,  イオン ,  XANES ,  温度依存性
準シソーラス用語： 局在化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属-絶縁体転移  (BM02110T) ,  その他の触媒  (CB06123Z) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： X線吸収分光法 ,  金属-絶縁体転移 ,  研究