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J-GLOBAL ID:201702285086173893   整理番号:17A1447297

Cu_2O光電陰極における光腐食を防ぐための電子選択TiO_2/CVDグラフェン層【Powered by NICT】

Electron-Selective TiO2 /CVD-Graphene Layers for Photocorrosion Inhibition in Cu2O Photocathodes
著者 (6件):
資料名:
巻:号: 17  ページ: ROMBUNNO.201700271  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2484A  ISSN: 2196-7350  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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光電気化学的太陽光水分解のための光吸収体材料中の光腐食を軽減する主要な研究の主題である。本研究では,安定した保護層を用いた電着Cu_2O光電陰極における光腐食を抑制する上で実行した系統的研究。化学蒸着グラフェンで保護された光電陰極は顕著な安定性を提供し,光チョッピングクロノアンペロメトリー中の600年代まで。しかし,グラフェン層のいくつかの微小亀裂の存在は,完全な保護を提供できないと,光電流の緩やかな崩壊を引き起こす。グラフェンの上に非晶質TiO_2の超薄層(≒10 nm)の添加は,微小亀裂を阻止し,それによりCu_2O吸収層への完全な保護をもたらした。TiO_2/グラフェン保護Cu_2O光電陰極は1m Na_2SO_4電解質(pH 7)における1太陽,裸Cu_2O電極と比較して2倍である0.0V(対可逆水素電極で 3mA cm~ 2光電流を生成する。光電流の増強は,保護TiO_2/グラフェン層の適切なバンドアラインメントと電子選択的特性に起因し光生成電荷キャリアを分離することの容易さに起因すると考えられる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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光伝導,光起電力  ,  電気化学反応 
タイトルに関連する用語 (5件):
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