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J-GLOBAL ID：201702285106742603   整理番号：17A0911266

高温応用におけるパワー半導体ダイ接着のためのAg焼結の信頼性【Powered by NICT】

Reliability of Ag Sintering for Power Semiconductor Die Attach in High-Temperature Applications

著者 (6件)： Yu Fang (HiDEC, University of Arkansas, Fayetteville, AR, USA) ,  Cui Jinzi (Department of Electrical and Computer Engineering, Auburn University, Auburn AL, USA) ,  Zhou Zhangming (Department of Electrical and Computer Engineering, Auburn University, Auburn AL, USA) ,  Fang Kun (Architecture & Design Group, Qualcomm, San Diego, CA, USA) ,  Johnson R. Wayne (Department of Electrical and Computer Engineering, Tennessee Tech University, Cookeville, TN, USA) ,  Hamilton Michael C. (Department of Electrical and Computer Engineering, Auburn University, Auburn AL, USA)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 32  号： 9  ページ： 7083-7095  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温Ag焼結は高温(300 °C)パワーエレクトロニクス応用に適合する鉛フリーダイ接着方法を提供した。焼結Ag金型SiとSiC金型の付着の信頼性はより低い電流電力応用のための厚膜基板と高電流電力応用のための直接結合銅(DBC)基板の両方を調べた。常圧と低圧焼結を評価した。低圧焼結は,低い空隙率(15-17%)対常圧焼結(~30%)を得た。信頼性は熱時効(300 °C)と熱サイクル( 55°C°C)試験で評価した。ダイと基板上にAgを含む表面仕上げを有する集合体で達成された信頼性のあるAg焼結ダイアタッチ。対照的に,300°C時効後のせん断強度は大きく減少したAuメタライゼーションは金型や基板表面に使用した。いくつかのケースでは,無加圧焼結と比較して,300°Cで時効したとき低圧焼結は焼結Ag金型Au表面への付着の破壊を遅延させた。Pd含有基板メタライゼーションを用いた信頼性はAgとAuメタライゼーションの中間であった。DBC基板上に熱サイクル信頼性は広い温度範囲でCuへのアルミナ界面での破損によって制限されたが,厚膜基板上への高接着は1000回の熱サイクル後も維持された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  *銀 ,  アルミナ ,  *高温 ,  金 ,  *焼結 ,  メタライゼーション ,  熱サイクル ,  *信頼性 ,  ケイ素 ,  *接着 ,  厚膜 ,  低温 ,  銅 ,  剪断強さ

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 応用 ,  パワー半導体 ,  ダイ ,  Ag ,  焼結