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J-GLOBAL ID：201702285130733649   整理番号：17A0550015

Ba導入による4H-SiC MOS界面の改善

著者 (9件)： 村岡幸輔 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研) ,  瀬崎洋 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研) ,  瀬崎洋 (フェニテックセミコンダクター) ,  石川誠治 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研) ,  石川誠治 (フェニテックセミコンダクター) ,  前田知徳 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研) ,  前田知徳 (フェニテックセミコンダクター) ,  吉川公麿 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研) ,  黒木伸一郎 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16a-P5-6  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *MOS構造 ,  バリウム ,  MOSFET ,  注入 ,  酸化バリウム ,  *改質 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  過酸化バリウム ,  *界面改質

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ba ,  4H-SiC ,  MOS ,  界面