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J-GLOBAL ID：201702285175065260   整理番号：17A1477815

Siウエハのロータリ研削における砥粒貫入角度が加工特性に及ぼす影響

著者 (4件)： 楠山純平 (防衛大) ,  由井明紀 (防衛大) ,  北嶋孝之 (防衛大) ,  伊東利洋 (岡本工作機械製作所)
資料名： 砥粒加工学会誌  (Abrasive Technology)
巻： 61  号： 11  ページ： 607-612  発行年： 2017年11月01日 
JST資料番号： L0473A  ISSN： 0914-2703  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコン(Si)は半導体デバイスの基板となる重要な素材である。半導体デバイスの製造工程におけるSiウエハのロータリ研削では,ウエハへの損傷を可能な限り小さくすることが求められており,その要求精度は年々高くなっている。一般に,ロータリ研削において,研削条件が加工特性に及ぼす影響は砥石回転数Nとウエハ回転数nの比を用いて評価されている。しかし,砥石外径2Rおよびウエハ外径2rが異なると砥石とウエハの接触面積が変化する。また,砥石切込み速度fによってウエハ加工面への損傷の度合いも変化するため,一様に評価することは適切ではない。そこで,1つの砥粒がウエハ加工面上を通過する長さ(砥粒通過長さL)とその間に切り込む深さ(砥粒切込み深さD)の比(砥粒貫入角度D/L)を,砥石外径2R,ウエハ外径2r,砥石回転数N,ウエハ回転数nおよび砥石切込み速度fを用いた無次元数として定義し,砥粒貫入角度D/Lがウエハの表面粗さと砥石スピンドルに及ぼす影響を実験的に明らかにした。その結果,砥粒貫入角度D/L≦2-3×10^-10の領域において延性モード研削になり,砥粒貫入角度D/Lを用いて加工特性を評価することにより,最適な研削条件を選定できることがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  *研削 ,  砥粒 ,  角度 ,  *加工条件 ,  研削砥石 ,  回転数 ,  外径 ,  接触 ,  面積 ,  切込 ,  加工面 ,  損傷 ,  表面粗さ ,  スピンドル ,  最適条件 ,  工作精度 ,  研削盤

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (5件)：

• 1) 2004 International Technology Roadmap for Semiconductors, Front end process, Table 67 (2015).
• 2) Tung-Chuan WU, Noboru MORITA and Yoshitaro YOSHIDA: Study on the Diamond Cutting of Silicon Single Crystal : 1st Report, The Effect of Brittle-Ductile Transition on Surface Integrity, Transactions of the Japan Society of Mechanical Engineers. Series C., 59, 557 (1993), 283-288 (in Japanese).
• 3) Yutaro EBINA, Kohei ISHIKAWA, Libo ZHOU, Jun SHIMIZU, Teppei ONUKI and Hirotaka OJIMA: Effects of the grain size uniformity on wafer surface topography in large scale Si wafer grinding, Abrasive Technology Conference 2015 (2015), 32 (in Japanese).
• 4) Okamoto Machine Tool Works, Ltd. HP, http://www.okamoto.co.jp/ (accessed on 21 June, 2017)
• 5) Shigeki OKUYAMA, Atsunobu UNE, Akinori YUI and Hirofumi SUZUKI: Fundamentals of Machinig Thechnology, CORONA PUBLISHING CO., LTD. (2013), 19 (in Japanese).

タイトルに関連する用語 (6件)： Siウエハ ,  ロータリ ,  研削 ,  砥粒 ,  貫入 ,  加工特性