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J-GLOBAL ID：201702285371136482   整理番号：17A0822215

周波数分解スペクトロスコピの方法によるa-Si:Hにおける欠陥PLの測定

Measurements of defect PL in a-Si:H by means of frequency resolved spectroscopy

著者 (1件)： OGIHARA C. (Yamaguchi Univ., Ube, JPN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 10  ページ： 7121-7125  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化アモルファスSi(a-Si:H)のPLスペクトルは,~1.4eVの主ピークと0.9eVよりも小さいエネルギーの欠陥PLが見られる。a-Si:Hの欠陥PLを周波数分解スペクトロスコピ(FRS)の方法で調べ,寿命分布を特徴づける値で検討した。欠陥PLの強度と特性寿命に加えて様々な欠陥密度のa-Si:HにたいしてI_s/I_ymax(I_s:位相内信号飽和値,I_y:位相外信号)で表せる寿命分布を示した。低温での欠陥PLの寿命分布は欠陥の多いa-Si:H膜でより広くなり,欠陥の多いa-Si:HにおけるSiダングリングボンドの不均一な空間分布を示している。寿命分布の幅は温度の上昇で減少し,長寿命のPLが温度上昇でより強く影響されていることを示している。

シソーラス用語： アモルファスシリコン ,  水素化物 ,  *光ルミネセンス ,  寿命分布 ,  *格子欠陥 ,  ダングリングボンド ,  スペクトル
準シソーラス用語： *アモルファス-Si:H ,  フォトルミネセンス ,  フォトルミネセンススペクトル ,  結晶欠陥

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分解 ,  スペクトロスコピ ,  Si ,  欠陥 ,  PL