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J-GLOBAL ID：201702285485996212   整理番号：17A1623905

ニッケルアミン錯体の熱分解により合成したニッケル膜【Powered by NICT】

Nickel film synthesized by the thermal decomposition of nickel-amine complexes

著者 (4件)： Yabuki Akihiro (Graduate School of Engineering, Hiroshima University, 1-4-1, Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Hiroshima 739-8527, Japan) ,  Ichida Yuma (Graduate School of Engineering, Hiroshima University, 1-4-1, Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Hiroshima 739-8527, Japan) ,  Kang Soonchul (Graduate School of Engineering, Hiroshima University, 1-4-1, Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Hiroshima 739-8527, Japan) ,  Fathona Indra Wahyudhin (Engineering Physics, School of Electrical Engineering, Telkom University, Terusan Telekomunikasi, Dayeuh Kolot Bandung 40257, Indonesia)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 642  ページ： 169-173  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気伝導率を持つニッケル膜は熱分解により合成することに成功した。ニッケルぎ酸インクとトリエチレンテトラミンからなる錯体をガラス基板,窒素雰囲気下で焼成した上に被覆した。インク複合体は,導電性ニッケル膜となり,明るい表面を示した。ギ酸ニッケルへのアミンのモル比が増加すると,ニッケル膜の体積抵抗率は2よりも高い比率でほぼ一定レベルに減少した。ニッケル膜の体積抵抗率は,温度の上昇,230°Cで460μΩcmの低い抵抗率の結果となると減少し,それは,より高い温度でわずかに増加した。得られたニッケル膜は直径が約100~200nmであることを粒子から成っており,それは多くのボイドを含む架橋構造により互いに接続した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ニッケル ,  複合体 ,  *アミン ,  電気抵抗率 ,  *熱分解 ,  *錯体 ,  電気伝導率 ,  導電性 ,  モル比 ,  インク ,  体積抵抗率 ,  ガラス基板 ,  *アミン錯体 ,  脂肪族カルボン酸

著者キーワード (4件)： 薄膜 ,  示差熱分析 ,  X線回折トポグラフィー ,  電気伝導率

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： ギ酸

タイトルに関連する用語 (3件)： ニッケル ,  アミン錯体 ,  熱分解