文献

J-GLOBAL ID：201702285605962743   整理番号：17A0522198

ICP-CVD法における荷電したシリコンナノ粒子の堆積挙動に及ぼす基板バイアスの影響

Effect of substrate bias on deposition behaviour of charged silicon nanoparticles in ICP-CVD process

著者 (7件)： YOO Seung-Wan (Korea Res. Inst. of Standards and Sci., Daejeon, KOR) ,  YOO Seung-Wan (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  YOU Shin-Jae (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  KIM Jung-Hyung (Korea Res. Inst. of Standards and Sci., Daejeon, KOR) ,  SEONG Dae-Jin (Korea Res. Inst. of Standards and Sci., Daejeon, KOR) ,  SEO Byong-Hoon (California Inst. of Technol., CA, USA) ,  HWANG Nong-Moon (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50  号： 3  ページ： 035201,1-9  発行年： 2017年01月25日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,誘導結合プラズマ化学気相堆積(ICP-CVD)法において,基板バイアスを印加することによる正および負に帯電したシリコンナノ粒子の堆積挙動について報告した。高周波補償Langmuirプローブを使用して,ICP-CVDにおけるプラズマポテンシャルおよび電子温度を測定した。断面FESEM画像からSi膜の微細構造と堆積速度を調べ,ラマン分光計を用いて堆積膜の結晶性を分析した。膜堆積の条件と同じ条件下でCuグリッドにより支持された炭素膜上にSiナノ粒子を捕捉し,気相中のSiナノ粒子を分析し,その後,それらを高分解能透過電子顕微鏡で観察した。その結果,正及び負に帯電した結晶性ナノ粒子の両方が,負に帯電した粒子が正に帯電した粒子よりも多い気相中で豊富に存在することが示された。プラズマ電位よりも高い正バイアスを基板に印加した場合,負に荷電したナノ粒子を堆積でき,最高の膜成長速度および最高の結晶化率をもたらした。

シソーラス用語： *誘導結合プラズマ ,  *プラズマCVD ,  *電荷 ,  *ナノ粒子 ,  バイアス ,  Langmuir探針 ,  プラズマパラメータ ,  電子温度 ,  *半導体薄膜 ,  走査電子顕微鏡 ,  微細構造 ,  堆積速度 ,  Raman分光法 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  結晶度 ,  成長速度
準シソーラス用語： *プラズマ化学気相堆積 ,  *荷電 ,  *シリコンナノ粒子 ,  基板バイアス ,  Langmuirプローブ ,  プラズマポテンシャル ,  *Si薄膜 ,  FE-SEM ,  高分解能透過電子顕微鏡 ,  結晶性 ,  プラズマ電位 ,  結晶化度

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (7件)： ICP ,  CVD法 ,  荷電 ,  シリコンナノ粒子 ,  堆積 ,  挙動 ,  基板バイアス