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J-GLOBAL ID：201702285693257500   整理番号：17A1640774

高電流密度ストレス下のp-GaAsへのTi/Pt/Auオーミックコンタクトのエレクトロマイグレーション劣化機構の研究【Powered by NICT】

Investigation of Electromigration Degradation Mechanism in Ti/Pt/Au Ohmic Contacts to p-GaAs Under High Current Density Stress

著者 (12件)： Qiao Yanbin (State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China) ,  Zhao Dongyan (State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China) ,  Chen Yanning (State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China) ,  Shao Jin (State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China) ,  Zhang Haifeng (State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China) ,  Tang Xiaoke (State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China) ,  Yuan Yidong (State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China) ,  Li Jianqiang (State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China) ,  Zhao Yang (State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China) ,  Ma Qiang (State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China) ,  Guo Chunsheng (College of Microelectronics, Beijing University of Technology, Beijing, China) ,  Zhang Yamin (State Grid Key Laboratory of Power Chip Designing and Analysis Technology, Beijing Smartchip Microelectronics Technology company, Ltd., Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 11  ページ： 4581-4586  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-GaAsへのTi/Pt/Au Ohm接触の劣化機構は,高い直流密度応力詳細に実験的に同定した。改訂された測定構造は円形移動長法(CTLM)に基づいて設計した,0.8×10~5cm~2の高い電流密度は垂直に適用したが,接触抵抗は二接触電極間の水平方向に測定した。改訂CTLMによれば,比接触抵抗は,ストレス時に測定した。結果は,比接触抵抗は時効時間に対して指数関数的な依存性を示した。Auger電子分光法から得られた深さプロファイリングの結果は,Ptがストレス中のAu層に貫通することを示した。さらに,いくつかのボイドがAu/Pt界面で観察され,相互混合はストレス中の金属層内に形成し始めた。これらの結果は,p-GaAsへのTi/Pt/Au Ohm接触の劣化は,高電流密度下で電流方向に沿ってエレクトロマイグレーションとJoule加熱に主に起因することを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 時効 ,  *Ohm接触 ,  接触抵抗 ,  抵抗加熱 ,  *白金 ,  *エレクトロマイグレーション ,  *ヒ化ガリウム ,  *金 ,  指数関数 ,  *電流密度 ,  Auger分光法 ,  *電流 ,  深さプロフィル
準シソーラス用語： 比接触抵抗 ,  *劣化機構 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高電流密度 ,  ストレス ,  GaAs ,  Ti ,  Pt ,  Au ,  オーミックコンタクト ,  エレクトロマイグレーション ,  研究