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J-GLOBAL ID：201702285807245047   整理番号：17A0664950

強化されたエネルギー密度と効率的な静電エネルギー貯蔵を備えた高k HfO_2薄膜のA LD調製【Powered by NICT】

ALD preparation of high-k HfO₂ thin films with enhanced energy density and efficient electrostatic energy storage

著者 (12件)： Zhang Le (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China. [e-mail]) ,  Liu Ming ,  Ren Wei ,  Zhou Ziyao ,  Dong Guohua ,  Zhang Yijun ,  Peng Bin ,  Hao Xihong ,  Wang Chenying ,  Jiang Zhuang-De ,  Jing Weixuan ,  Ye Zuo-Guang
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 14  ページ： 8388-8393  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優勢な単斜晶相を持つ高k誘電体HfO_2薄膜を原子層堆積(A LD)により作製した。アニールしたHfO_2膜は大きな誘電定数,上の4000kV cmの高い絶縁破壊電界とε_r=26までの~ 1を示した。最大回復可能なエネルギー密度21.3J cm~ 3とエネルギー効率75%の最高の性能は63nm HfO_2膜で得られた。添加では,室温から150°Cまでのエネルギー貯蔵特性の明確な温度依存性を示し,約80%の高いエネルギー効率で11.0と13.0J cm~ 3の間の安定なエネルギー密度変化を示した。これらの成果は,強化されたエネルギー密度と効率を持つ高k誘電体薄膜を合成するためのプラットフォームを提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *エネルギー貯蔵 ,  単斜晶系 ,  絶縁破壊 ,  *エネルギー密度 ,  温度依存性 ,  電場 ,  *静電エネルギー ,  エネルギー効率 ,  *薄膜 ,  誘電率
準シソーラス用語： ALCVD ,  高k誘電体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 強化 ,  エネルギー密度 ,  静電エネルギー ,  貯蔵 ,  薄膜 ,  LD ,  調製