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J-GLOBAL ID：201702285818427660   整理番号：17A1258052

ナノノードnチャネルFinFETの完全性を計測DIBL効果【Powered by NICT】

DIBL effect gauging the integrity of nano-node n-channel FinFETs

著者 (6件)： Wang Mu-Chun (Dept. of Electronic Engineering, Minghsin University of Science and Technology, Hsinchu 30401, Taiwan) ,  Rao Zih-Yang (Dept. of Electronic Engineering, Minghsin University of Science and Technology, Hsinchu 30401, Taiwan) ,  Liu Hao-Yi (Dept. of Electronic Engineering, Minghsin University of Science and Technology, Hsinchu 30401, Taiwan) ,  Tuan Fu-Yuan (Inst. of Mechatronic Engineering, National Taipei University of Technology, Taipei 10608, Taiwan) ,  Liao Wen-Shiang (Dept. of Electronic Engineering, Minghsin University of Science and Technology, Hsinchu 30401, Taiwan) ,  Lan Wen-How (Dept. of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, Kaohsiung 81148, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISNE  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DIBL効果は,短チャネルデバイスにおけるよく知られている。この良好な効果を用いて,チャネル長または幅変化とチャネルパンチスルー効果を持つ装置のインテグリティを検出し,オフ電流寄与より漏れを引き起こす可能性がある。チャネル幅は長チャネル長で増加すると,パンチスルー電圧(V_PT)もハロー注入または光可制御性のより均一性のために,少々増加した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  *チャネル ,  可制御性 ,  パンチスルー ,  *完全性 ,  インテグリティ
準シソーラス用語： チャネル幅 ,  オフ電流 ,  チャネル長 ,  短チャネル ,  *DIBL ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ノード ,  Nチャネル ,  FinFET ,  完全性 ,  計測 ,  DIBL