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J-GLOBAL ID：201702285856442607   整理番号：17A0364568

TaN(001)表面上のSiドーピング2N2Ta島吸着の電荷移動と進化の第一原理研究【Powered by NICT】

First-principles study of the charge transfer and evolution of Si doping 2N2Ta islands adsorption on TaN (001) surfaces

著者 (5件)： Ren Yuan (School of Mechanical Engineering, Inner Mongolia University of Science & Technology, Baotou, Inner Mongolia, 014010, PR China) ,  Zhang Honglv (School of Mechanical Engineering, Inner Mongolia University of Science & Technology, Baotou, Inner Mongolia, 014010, PR China) ,  Zhang Chao (School of Mechanical Engineering, Inner Mongolia University of Science & Technology, Baotou, Inner Mongolia, 014010, PR China) ,  Zeng Haiqing (School of Mechanical Engineering, Inner Mongolia University of Science & Technology, Baotou, Inner Mongolia, 014010, PR China) ,  Liu Xuejie (School of Mechanical Engineering, Inner Mongolia University of Science & Technology, Baotou, Inner Mongolia, 014010, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 392  ページ： 350-355  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ta-Si-Nナノ複合材料膜の蒸着中のTaN結晶粒近傍で形成されるSi原子の分離と凝集を研究し,それらの進化の間の島のTaN(001)表面と拡散エネルギーに及ぼすSi2N2Ta島の状態の吸着エネルギー,電荷移動と原子部分密度を密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理法を用いて評価した。最低全エネルギー安定な配置では,NとTa原子コンバイン2N2Ta島を形成する傾向があったが,Si原子は島の外側Ta原子に位置対角に留まる傾向があった。Si原子TaN島の失われたN原子の位置に入ったはTa-Si-N成長中の置換固溶体を形成した。島における固溶体のSi原子は堆積過程でTa,Nリッチ島により容易に押出成形することができた。Nによる2Ta1N1Si島の配置したN原子によるSi原子押出プロセスは豊富なN原子のSiによる2N2Ta島へと進展した。Si原子のプロセスは,Siの2Ta2N島に発展したTaによる2N1Ta1Si島の構成,島の全エネルギーを減少させることをしたTa原子により押出処理された。これの拡散エネルギーは0.974と1.712eVであった。Si原子とTaN結晶粒相は,堆積過程中に分離する傾向があった。Si原子はTa-Si-Nナノ複合材料膜の堆積過程中のTaとN原子への道を与えることができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  *電荷移動 ,  固溶体 ,  結晶粒 ,  全エネルギー ,  *第一原理 ,  押出成形 ,  *ケイ素 ,  複合膜 ,  吸着エネルギー ,  吸着 ,  *タンタル ,  蒸着
準シソーラス用語： 密度汎関数計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Si2N2Ta島 ,  電荷移動 ,  吸着と拡散 ,  密度汎関数計算

分類 (4件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  吸着の電子論  (CB12042Y) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  ドーピング ,  吸着 ,  電荷移動 ,  進化 ,  第一原理 ,  研究